Home >Documents >Petunjuk Prak. De

Petunjuk Prak. De

Date post:23-Feb-2018
Category:
View:237 times
Download:1 times
Share this document with a friend
Transcript:
  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    1/66

    PETUNJUK

    PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

    Oleh:

    Zulhelmi, S.T., M.Sc

    JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

    FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS SYIAH KUALA

    DARUSSALAM, 2015

    LABORATORIUM

    TEKNIK ELEKTRONIKA

    JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    2/66

    KATA PENGANTAR i

    KATA PENGANTAR

    Alhamdulillahi Rabbilaalamiin,Puji syukur kami panjatkan kehadirat Allah SWT, Buku

    Petunjuk Praktikum Dasar Elektronika untuk tahun ajaran 2014-2015 ini dapat

    diselesaikan sebelum masa praktikum dimulai. Dengan demikian, pelatihan asisten sudah

    dapat menggunakan buku petunjuk dalam bentuk yang sama dengan buku yang akan

    digunakan praktikan.

    Praktikum Dasar Elektronika adalah sebuah mata kuliah praktikum yang wajib diambil

    oleh setiap mahasiswa jurusan teknik elektro dan juga merupakan para syarat awal bagi

    mahasiswa untuk mengambil mata kuliah kerja praktek. Petunjuk praktikum ini

    mengikuti kurikulum 2012-2016 pada jurusan teknik elektro.

    Pada kesempatan ini, penulis ingin menyampaikan terima kasih yang sebesar-besarnyapada semua pihak yang telah terlibat dalam penyusunan petunjuk praktikum ini. Akhir

    kata, semoga semua usaha yang telah dilakukan dapat berkontribusi pada dihasilkannya

    lulusan Program Studi Teknik Elektro sebagai engineer dengan standar internasional.

    DarussalamBanda Aceh, 05 Maret 2015

    Pengampu MK,

    Zulhelmi, S.T., M.Sc

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    3/66

    DAFTAR KONTRIBUTOR ii

    DAFTAR KONTRIBUTOR

    Penulis mengapresiasi semua pihak yang telah membantu dan berkontribusi pada

    punyusunan petunjuk praktikum ini. Berikut ini daftar nama yang berkontribusi pada

    penyusunan petunjuk praktikum ini

    Ir. Agus Adria, M.Sc

    Mohd. Syaryadhi, S.T., M.Sc

    Yunidar, S.Si., M.T.

    Zulfikar, S.T., M.Sc

    Alfisyahrin, S.T., M.Sc

    Ismahadi

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    4/66

    DAFTAR ISI

    KATA PENGANTAR ................................................................................................................... i

    DAFTAR KONTRIBUTOR......................................................................................................... ii

    DAFTAR ISI ............................................................................................................................... iii

    ATURAN UMUM ....................................................................................................................... vi

    LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRONIKA ........................................................................ vi

    PANDUAN UMUM KESELAMATAN DAN PENGGUNAAN PERALATAN

    LABORATORIUM .................................................................................................................... vii

    1. KESELAMATAN ............................................................................................................... vii

    1.1 Bahaya Listrik ............................................................................................................. vii

    1.2 Bahaya Api atau Panas Berlebih ................................................................................. vii

    1.3 Bahaya Lain ............................................................................................................... viii

    1.4 Lain-Lain .................................................................................................................... viii

    2. PENGGUNAAN PERALATAN PRAKTIKUM ............................................................... viii

    3. SANKSI ............................................................................................................................... ix

    PERCOBAAN I: KARAKTERISTIK DIODA ........................................................................ 1

    1. TUJUAN ............................................................................................................................... 1

    2. DASAR TEORI .................................................................................................................... 1

    2.1 Dioda Semi-Konduktor ................................................................................................. 1

    2.2 Dioda Standar ................................................................................................................ 2

    2.3 LED (Light Emiting Diode) .......................................................................................... 3

    2.4 Dioda Zener ................................................................................................................... 3

    2.5 Dioda Photo ................................................................................................................... 4

    2.6 Dioda Varactor .............................................................................................................. 4

    2.7 Karakteristik Dioda ....................................................................................................... 5

    3. KOMPONEN DAN PERALATAN ...................................................................................... 6

    4. PROSEDUR PERCOBAAN ................................................................................................. 6

    4.1 Dioda Bias Maju ........................................................................................................... 6

    4.2 Dioda Bias Mundur ....................................................................................................... 7

    4.3 Dioda Zener ................................................................................................................... 8

    5. ANALISIS DAN DISKUSI .................................................................................................. 8

    6. TUGAS ................................................................................................................................. 8

    PERCOBAAN II:KARAKTERISTIK BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT) ...10

    1. TUJUAN .................................................................................................................. 10

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    5/66

    DAFTAR ISI

    DAFTAR ISI iv

    2. DASAR TEORI ....................................................................................................... 10

    3. KOMPONEN DAN PERALATAN ........................................................................ 11

    4. PROSEDUR PERCOBAAN ................................................................................... 11

    4.1 Hubungan Common Emitter (CE) ................................................................... 11

    5. ANALISIS DAN DISKUSI .................................................................................... 12

    6. TUGAS .................................................................................................................... 12

    PERCOBAAN III:CATU DAYA ............................................................................... 13

    1. TUJUAN .................................................................................................................. 13

    2. DASAR TEORI ....................................................................................................... 13

    3. KOMPONEN DAN PERALATAN ........................................................................ 15

    4. PROSEDUR PERCOBAAN ................................................................................... 16

    5. ANALISIS DAN DISKUSI .................................................................................... 19

    6. TUGAS .................................................................................................................... 19

    PERCOBAAN IV:RANGKAIAN PRA TEGANGAN TRANSISTOR ................. 20

    1. TUJUAN .................................................................................................................. 20

    2. DASAR TEORI ....................................................................................................... 20

    3. KOMPONEN DAN PERALATAN ........................................................................ 22

    4. PROSEDUR PERCOBAAN ................................................................................... 22

    5. ANALISIS DAN DISKUSI .................................................................................... 23

    6. TUGAS .................................................................................................................... 24

    PERCOBAAN V: PENGUAT TRANSISTOR BJT ................................................. 25

    1. TUJUAN .................................................................................................................. 25

    2. DASAR TEORI ....................................................................................................... 25

    3. KOMPONEN DAN PERALATAN ........................................................................ 26

    4. PROSEDUR PERCOBAAN ................................................................................... 26

    5. ANALISIS DAN DISKUSI .................................................................................... 27

    6. TUGAS .................................................................................................................... 28

    PERCOBAAN VI: KARAKTERISTIK DAN PRA TEGANGAN FET ................. 29

    1. TUJUAN .................................................................................................................. 29

    2. DASAR TEORI ....................................................................................................... 29

    3. KOMPONEN DAN PERALATAN ........................................................................ 31

    4. PROSEDUR PERCOBAAN ................................................................................... 31

    5. ANALISIS DAN DISKUSI .................................................................................... 35

    6. TUGAS .................................................................................................................... 36

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    6/66

    DAFTAR ISI

    DAFTAR ISI v

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    7/66

    ATURAN UMUM

    LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRONIKA i

    ATURAN UMUM

    LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRONIKA

    1. Praktikan harus sudah hadir di Laboratorium Elektronika paling lambat 10 menit

    sebelum praktikum dimulai, berpakaian sopan dan rapi, dilarang memakai sandal.

    Tas, Jaket, dan barang-barang lain yang tidak berhubungan langsung dengan

    percobaan praktikum harus disimpan di dalam loker yang telah disediakan. Bila

    membawa ponsel praktikan harus mematikan ponselnya atau mengaktifkan nada

    getar. Tidak diperkenankan menerima panggilan melaui ponsel di dalam ruang

    Laboratorium.

    2.

    Praktikan harus sudah mempelajari penuntun praktikum dan teori yang berhubungandengan percobaan sebelum praktikum dilaksanakan. Sebelum pelaksanaan praktikum

    akan dilaksanakan Tes/tugas pendahuluan (pre-test) oleh asisten.

    3. Praktikan baru boleh merangkai modul percobaan sesuai dengan penuntun praktikum

    apabila telah mendapata izin/instruksi dari asisten. Catu daya rangkaian baru boleh

    dihidupkan setelah modul yang dirangkai telah diperiksa oleh asisten.

    4. Praktian wajib melaksanakan seluruh prosedur percobaan sesuai dengan penuntun

    praktikum. Hal-hal yang kurang jelas sehubungan dengan prosedur percobaan

    ataupun cara pemakaian isntrumen/alat ukur harus ditanyakan kepada asisten. Bila

    karena satu dan lain hal salah satu atau seluruh prosedur percobaan tidak dapat

    dilaksanakan, asisten akan mengambil kebijakan untuk melakukan prosedur yang

    berbeda dari penuntun praktikum ataupun menjadwalkan kembali jadwal praktikum.

    5. Data percobaan ditulis pada lembaran yang terpisah, ditandatangani oleh asisten dan

    distempel.

    6. Praktikan baru boleh meninggalkan Laboratorium setelah mendapat izin dari asisten.

    7. Praktikan wajin menjaga seluruh alat/bahan praktikum. Kehilangan atau kerusakan

    alat/bahan praktikum selama percobaan menjadi tanggung jawab praktikan.

    8.

    Praktikan wajib menjaga ketertiban dan kebersihan selama praktikum.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    8/66

    PANDUAN UMUM KESELAMATAN DAN

    PENGGUNAAN PERALATAN LABORATORIUM

    1.

    KESELAMATAN

    Pada prinsipnya, untuk mewujudkan praktikum yang aman diperlukan partisipasi

    seluruh praktikan dan asisten pada praktikum yang bersangkutan. Dengan demikian,

    kepatuhan setiap praktikan terhadap uraian panduan pada bagian ini akan sangat

    membantu mewujudkan praktikum yang aman.

    1.1 Bahaya Listrik

    Perhatikan dan pelajari tempat-tempat sumber listrik (stop-kontak dan circuit

    breaker) dan cara menyala-matikannya. Jika melihat ada kerusakan yang berpotensimenimbulkan bahaya, laporkan pada asisten.

    a. Hindari daerah atau benda yang berpotensi menimbulkan bahaya listrik (sengatan

    listrik/ strum) secara tidak disengaja, misalnya kabel jala-jala yang terkelupas Dan

    lain-lain.

    b. Tidak melakukan sesuatu yang dapat menimbulkan bahaya listrik pada diri sendiri

    atau orang lain.

    c. Keringkan bagian tubuh yang basah karena, misalnya, keringat atau sisa air

    wudhu.

    d. Selalu waspada terhadap bahaya listrik pada setiap aktivitas praktikum.

    Kecelakaan akibat bahaya listrik yang sering terjadi adalah tersengat arus listrik.

    Berikut ini adalah hal-hal yang harus diikuti praktikan jika hal itu terjadi:

    a. Jangan panik,

    b. Matikan semua peralatan elektronik dan sumber listrik di meja masing-masing

    dan di meja praktikan yang tersengat arus listrik,

    c. Bantu praktikan yang tersengat arus listrik untuk melepaskan diri dari sumber

    listrik,

    d. Beritahukan dan minta bantuan asisten, praktikan lain dan orang di sekitar anda

    tentang terjadinya kecelakaan akibat bahaya listrik.

    1.2 Bahaya Api atau Panas Berlebih

    a. Jangan membawa benda-benda mudah terbakar (korek api, gas dll.) ke dalam

    ruang praktikum bila tidak disyaratkan dalam modul praktikum.

    b. Jangan melakukan sesuatu yang dapat menimbulkan api, percikan api atau panas

    yang berlebihan.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    9/66

    PANDUAN UMUM KESELAMATAN DAN

    PENGGUNAAN PERALATAN LABORATORIUM

    PANDUAN UMUM KESELAMATAN DAN PENGGUNAAN PERALATAN

    LABORATORIUM iii

    c. Jangan melakukan sesuatu yang dapat menimbulkan bahaya api atau panas

    berlebih pada diri sendiri atau orang lain.

    d. Selalu waspada terhadap bahaya api atau panas berlebih pada setiap aktivitas

    praktikum.

    Berikut ini adalah hal-hal yang harus diikuti praktikan jika menghadapi bahaya

    api atau panas berlebih:

    a. Jangan panik,

    b. Beritahukan dan minta bantuan asisten, praktikan lain dan orang di sekitar anda

    tentang terjadinya bahaya api atau panas berlebih,

    c. Matikan semua peralatan elektronik dan sumber listrik di meja masing-masing,

    d. Menjauh dari ruang praktikum.

    1.3 Bahaya Lain

    Untuk menghindari terjadinya hal-hal yang tidak diinginkan selama pelaksanaan

    percobaan perhatikan juga hal-hal berikut:

    a. Jangan membawa benda tajam (pisau, gunting dan sejenisnya) ke ruang praktikum

    bila tidak diperlukan untuk pelaksanaan percobaan.

    b. Jangan memakai perhiasan dari logam misalnya cincin, kalung, gelang dll.

    c.

    Hindari daerah, benda atau logam yang memiliki bagian tajam dan dapat melukai

    d. Hindari melakukan sesuatu yang dapat menimbulkan luka pada diri sendiri atau

    orang lain, misalnya bermain-main saat praktikum.

    1.4Lain-Lain

    Praktikan dilarang membawa makanan dan minuman ke dalam ruang praktikum.

    2. PENGGUNAAN PERALATAN PRAKTIKUM

    Berikut ini adalah panduan yang harus dipatuhi ketika menggunakan alat-alat

    praktikum:a. Sebelum menggunakan alat-alat praktikum, pahami petunjuk/ prosedur pengguna-

    an tiap alat itu.

    b. Perhatikan dan patuhi peringatan (warning) yang biasanya tertera pada badan alat.

    c. Pahami fungsi atau peruntukan alat-alat praktikum dan gunakanlah alat-alat

    tersebut hanya untuk aktivitas yang sesuai fungsi atau peruntukannya.

    Menggunakan alat praktikum di luar fungsi atau peruntukannya dapat

    menimbulkan kerusakan pada alat tersebut dan bahaya keselamatan praktikan.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    10/66

    PANDUAN UMUM KESELAMATAN DAN

    PENGGUNAAN PERALATAN LABORATORIUM

    PANDUAN UMUM KESELAMATAN DAN PENGGUNAAN PERALATAN

    LABORATORIUM i

    d. Pahami rating dan jangkauan kerja alat-alat praktikum dan gunakanlah alat-alat

    tersebut sesuai rating dan jangkauan kerjanya. Menggunakan alat praktikum di

    luar rating dan jangkauan kerjanya dapat menimbulkan kerusakan pada alat

    tersebut dan bahaya keselamatan praktikan.

    e. Pastikan seluruh peralatan praktikum yang digunakan aman dari benda/ logam

    tajam, api/ panas berlebih atau lainnya yang dapat mengakibatkan kerusakan pada

    alat tersebut.

    f. Tidak melakukan aktifitas yang dapat menyebabkan kotor, coretan, goresan atau

    sejenisnya pada badan alat-alat praktikum yang digunakan.

    g. Kerusakan instrumentasi praktikum menjadi tanggung jawab bersama kelompok

    praktikum ybs. Alat yang rusak harus diganti oleh kelompok tersebut.

    3. SANKSI

    Pengabaian uraian panduan di atas dapat dikenakan sanksi tidak lulus mata

    kuliah praktikum yang bersangkutan.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    11/66

    1

    PERCOBAAN I

    KARAKTERISTIK DIODA

    1.

    TUJUAN

    a. Memahami karakteristik dioda semi-konduktor dan dioda Zener

    b. Memahami prinsip kerja dioda semi-konduktor dan dioda Zener

    2. DASAR TEORI

    2.1 Dioda Semi-Konduktor

    Dioda adalah komponen aktif semikonduktor yang terdiri dari persambungan

    (junction) P-N.Sifat dioda yaitu dapat menghantarkan arus pada tegangan maju dan

    menghambat arus pada tegangan balik. Dioda berasal dari pendekatan kata dua elektroda

    yaitu anoda dan katoda. Dioda semikonduktor hanya melewatkan arus searah saja

    (forward), sehingga banyak digunakan sebagai komponen penyearah arus. Secara

    sederhana sebuah dioda bisa kita asumsikan sebuah katup, dimana katup tersebut akan

    terbuka manakala air yang mengalir dari belakang katup menuju kedepan, sedangkan

    katup akan menutup oleh dorongan aliran air dari depan katup.

    Gambar 1.1. Simbol skematik dioda

    Berapa fungsi dan penerapan dioda adalah:

    a. Sebagai penyearah, untuk dioda bridge

    b.

    Sebagai penstabil tegangan (voltage regulator), untuk dioda zener

    c. Pengaman / sekering

    d. Sebagai rangkaian clipper, yaitu untuk memangkas / membuang level sinyal yang

    ada di atas atau di bawah level tegangan tertentu.

    e. Sebagai rangkaian clamper, yaitu untuk menambahkan komponen DC kepada

    suatu sinyal AC

    f. Sebagai pengganda tegangan.

    g. Sebagai indikator, untuk LED (light emiting diode)

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    12/66

    PERCOBAAN I

    KARAKTERISTIK DIODA

    I KARAKTERISTIK DIODA 2

    h.

    Sebagai sensor panas, contoh aplikasi pada rangkaian power amplifieri. Sebagai sensor cahaya, untuk dioda photo

    j. Sebagai rangkaian VCO (voltage controlled oscilator), untuk dioda varactor

    Berdasarkan jenisnya dioda dapat dbagi dalam beberapa kategori sebagaimana

    digambarkan pada Gambar berikut.

    2.2 Dioda Standar

    Dioda jenis ini ada dua macam yaitu silikon dan germanium. Dioda silikon

    mempunyai tegangan maju 0.6 V sedangkan dioda germanium 0.3 V. Dioda jenis ini

    mempunyai beberapa batasan tertentu tergantung spesifikasi. Batasan batasan itu seperti

    batasan tegangan reverse, frekuensi, arus, dan suhu. Tegangan maju dari dioda akan turun

    0.025 V setiap kenaikan 1 derajat dari suhu normal.

    Gambar 1. 3. Simbol fisik dan skematik dioda standar.

    Gambar 1. 2. Jenis-jenis dioda

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    13/66

    PERCOBAAN I

    KARAKTERISTIK DIODA

    I KARAKTERISTIK DIODA 3

    2.3 LED (Light Emiting Diode)

    Dioda jenis ini mempunyai lapisan fosfor yang bisa memancarkan cahaya saat

    diberi polaritas pada kedua kutubnya. LED mempunyai batasan arus maksimal yang

    mengalir melaluinya. Diatas nilai tersebut dipastikan umur led tidak lama. Jenis led

    ditentukan oleh cahaya yang dipancarkan. Seperti led merah, hijau, biru, kuning, oranye,

    infra merah dan laser diode. Selain sebagai indikator beberapa LED mempunyai fungsi

    khusus seperti LED inframerah yang dipakai untuk transmisi pada sistem remote control

    dan opto sensor juga laser diode yang dipakai untuk optical pick-up pada sistem CD.

    Dioda jenis ini dibias maju (forward).

    2.4 Dioda Zener

    Fungsi dari dioda zener adalah sebagai penstabil tegangan. Selain itu dioda zener

    juga dapat dipakai sebagai pembatas tegangan pada level tertentu untuk keamanan

    rangkaian. Karena kemampuan arusnya yang kecil maka pada penggunaan dioda zener

    sebagai penstabil tegangan untuk arus besar diperlukan sebuah buffer arus. Dioda zener

    dibias mundur (reverse).

    Gambar 1. 4. Simbol skematik dan fisik light Emitting Dioda (LED).

    Gambar 1. 5. Simbol Skematik Dioda Zener.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    14/66

    PERCOBAAN I

    KARAKTERISTIK DIODA

    I KARAKTERISTIK DIODA 4

    2.5 Dioda Photo

    Dioda photo merupakan jenis komponen peka cahaya. Dioda ini akan menghantar

    jika ada cahaya yang mauk dengan intensitas tertentu. Aplikasi dioda photo banyak pada

    sistem sensor cahaya(optical). Contoh : pada optocoupler dan optical pick-up pada sistem

    CD. Dioda photo dibias maju (forward).

    2.6 Dioda Varactor

    Kelebihan dari dioda ini adalah mampu menghasilkan nilai kapasitansi tertentu

    sesuai dengan besar tegangan yang diberikan kepadanya. Dengan dioda ini maka sistem

    penalaan digital pada sistem transmisi frekuensi tinggi mengalami kemajuan pesat,

    seperti pada radio dan televisi. Contoh sistem penalaan dengan dioda ini adalah dengan

    sistem PLL (Phase lock loop), yaitu mengoreksi oscilator dengan membaca

    penyimpangan frekuensinya untuk kemudian diolah menjadi tegangan koreksi untuk

    oscilator. Dioda varactor dibias reverse.

    Gambar 1. 7. Simbol skematik dioda varaktor.

    Gambar 1. 6. Simbol skematik foto dioda.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    15/66

    PERCOBAAN I

    KARAKTERISTIK DIODA

    I KARAKTERISTIK DIODA 5

    2.7Karakteristik Dioda

    a. Bias Maju Dioda

    Adalah cara pemberian tegangan luar ke terminal diode. Jika anoda dihubungkan

    dengan kutub positif batere, dan katoda dihubungkan dengan kutub negative batere, maka

    keadaan diode ini disebut bias maju (forward bias). Aliran arus dari anoda menuju katoda,

    dan aksinya sama dengan rangkaian tertutup. Pada kondisi bias ini akan terjadi aliran arus

    dengan ketentuan beda tegangan yang diberikan ke diode dan akan selalu positif.

    Gambar 1. 8. Konfigurasi dioda bias maju.

    b. Bias Mundur Dioda

    Sebaliknya bila anoda diberi tegangan negative dan katoda diberi tegangan positif,

    arus yang mengalir jauh lebih kecil dari pada kondisi bias maju. Bias ini dinamakan bias

    mundur (reverse bias) pada arus maju diperlakukan baterai tegangan yang diberikan

    dengan tidak terlalu besar maupun tidak ada peningkatan yang cukup signifikan.Sebagai

    karakteristik dioda, pada saat reverse, nilai tahanan diode tersebut relative sangat besar

    dan diode ini tidak dapat menghantarkan arus listrik. Nilai-nilai yang didapat, baik arus

    maupun tegangan tidak boleh dilampaui karena akan mengkibatkan rusaknya dioda.

    Gambar 1. 9. Konfigurasi dioda bias mundur.

    http://4.bp.blogspot.com/-ik7oc3PqMBA/UXFMtKQQUSI/AAAAAAAAAvs/7GuwjXf6nhM/s1600/dioda2-tugasku-4u.JPG
  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    16/66

    PERCOBAAN I

    KARAKTERISTIK DIODA

    I KARAKTERISTIK DIODA 6

    3. KOMPONEN DAN PERALATAN

    Adapun alat dan bahan yang diperlukan dalam praktikum ini adalah:

    No. Nama Komponen/Alat Jenis/Merek/Nilai Jumlah (Unit)

    1. Dioda standar 1N4001 2

    2. Dioda Zener (6,8V) 1N4736A 2

    3. Resistor 330 2

    4. Resistor 220 2

    5. Potensiometer 10 k 2

    6. Multimeter Sanwa 27. Master Builder S300B 1

    8.Bridge board + Catu Daya split

    15 V (optional, bila No 7.

    Tidak tersedia)

    1

    9. Kabel-kabel penghubung - Secukupnya

    4. PROSEDUR PERCOBAAN

    4.1 Dioda Bias Maju

    1) Dalam keadaan catu daya mati, rangkailah rangkaian percobaan sebagaimana

    ditunjukkan pada Gambar P-I.1.

    Gambar P-I. 1. Rangkaian percobaan dioda bias maju

    2) Untuk komponen D1,pasanglah dioda 1N4001

    3) Periksa rangkaian secara seksama, bila telah sempurna hidupkan catu daya

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    17/66

    PERCOBAAN I

    KARAKTERISTIK DIODA

    I KARAKTERISTIK DIODA 7

    4) Atur potensiometer sehingga pembacaan ampermeter menunjukkan 0,05 Ma, dan

    ukurlah tegangan dioda (VD)

    5) Atur arus dioda dengan kenaikan sebesar 0,1 Ma dengan cara mengatur

    potensiometer, ukur tegangan dioda (VD)untuk setiap kenaikan arusnya.

    6) Ulangi langkah (5) sampai dengan pembacaan arus dioda maksimum.

    7) Ganti nilai R1 dengan 220 , ukur arus dioda maksimum yang diperoleh.

    8) Catat hasil pengamatan dalam bentuk tabel.

    4.2 Dioda Bias Mundur

    1)

    Dalam keadaan catu daya mati, rangkailah rangkaian percobaan sebagaimanaditunjukkan pada Gambar P-I.2. (Perhatikan catu yang digunakan adalah -15 V)

    Gambar P-I. 2. Rangkaian percobaan dioda bias mundur

    2) Untuk komponenD1, pasanglah dioda 1N4001

    3)

    Periksa rangkaian secara seksama, bila telah sempurna hidupkan catu daya

    4) Atur potensiometer sehingga pembacaan voltmeter menunjukkan angka 0,1 V,

    dan ukurlah arus dioda bias mundur.

    5) Atur tegangan dioda dengan kenaikan sebesar 0,5 Volt dengan cara mengatur

    potensiometer, ukur arus dioda (IDR) untuk setiap kenaikan tegangannya.

    6) Ulangi langkah (5) sampai dengan pembacaan tegangan dioda maksimum.

    7) Catat hasil pengamatan dalam bentuk tabel.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    18/66

    PERCOBAAN I

    KARAKTERISTIK DIODA

    I KARAKTERISTIK DIODA 8

    4.3 Dioda Zener

    1) Dalam keadaan catu daya mati, rangkailah rangkaian percobaan sebagaimana

    ditunjukkan pada Gambar P-I.3.

    2) Untuk komponenD1, pasanglah dioda zener

    Gambar P-I. 3. Rangkaian percobaan dioda Zener

    3) Periksa rangkaian secara seksama, bila telah sempurna hidupkan catu daya

    4) Atur potensiometer sehingga pembacaan ampermeter menunjukkan 0,05 mA, dan

    ukurlah tegangan dioda (VZ)

    5) Atur arus dioda dengan kenaikan sebesar 0,05 mA atau lebih besar (disesuaikan)

    dengan cara mengatur potensiometer, ukur tegangan dioda (VZ) untuk setiap

    kenaikan arusnya.

    6) Ulangi langkah (5) sampai dengan pembacaan arus dioda maksimum.

    7) Catat hasil pengamatan dalam bentuk tabel.

    5. ANALISIS DAN DISKUSI

    Dengan menggunakan hasil pengamatan dan pengukuran lakukanlah analisis dandiskusikan hal-hal berikut:

    a. Karakteristik dioda yang dibias maju dan dibias mundur.

    b. Karakteristik dioda zener.

    c. Bila resistor dan potensiometer yang digunakan mempunyai disipasi daya W.

    d. Kapan dioda Zener bekerja dengan baik?

    6. TUGAS

    1. Sebutkan dan Jelaskan unsur-unsur pembentuk Dioda!

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    19/66

    PERCOBAAN I

    KARAKTERISTIK DIODA

    I KARAKTERISTIK DIODA 9

    2. Jelaskan karakteristik, fungsi dan prinsip kerja dari Dioda!

    3. Apa fungsi potensiometer pada rangkaian percobaan?

    4. Apa fungsiR1pada rangkaian percobaan, bila nilaiR1 diganti dengan 100 apa

    yang akan terjadi untuk tiap-tiap rangkaian percobaan?

    5. Sebutkan kelebihan dan kelemahan dari dioda silikon dan zener!

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    20/66

    10

    PERCOBAAN II

    KARAKTERISTIK BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)

    1.

    TUJUAN

    a. Memahami karakteristik Bipolar Junction Transistor (BJT)

    b. Memahami prinsip kerja BJT.

    2. DASAR TEORI

    Bipolar junction transistor (BJT) merupakan divais tiga terminal yang dibentuk dengan

    tiga lapisan bahan semikonduktor, dua lapisan tipe-n dan satu lapisan tipe-p; atau juga

    bisa dibentuk dengan dua lapisan tipe-p dan satu lapisan tipe-n. Kontruksi fisik BJT

    diilustrasikan pada Gambar 2.1.

    Gambar 2. 1. Struktur sederhana npn transistor.

    BJT terdiri dari tiga terminal yakni emitter, basis dan kolektor. Lapisan emitter

    di-doping dengan konsentrasi paling tinggi dan penggunaan area yang relatif sedang,

    sementara lapisan basis didoping rendah dengan penggunaan area yang paling kecil,

    sedangkan lapisan kolektor diberikan impuritas dengan tingkat sedang dan penggunaan

    area yang paling besar. Simbol skematik transistor (BJT) ditunjukkan pada Gambar 2.2

    berikut ini.

    Gambar 2. 2. Simbol skematik BJT; (a). Transistor npn; (b). Transistor pnp.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    21/66

    PERCOBAAN II

    KARAKTERISTIK BJT

    II KARAKTERISTIK BJT 11

    3. KOMPONEN DAN PERALATAN

    Adapun alat dan bahan yang diperlukan dalam praktikum ini adalah:

    No. Nama Komponen/Alat Jenis/Merek/Nilai Jumlah (Unit)

    1. Transistor BJT 2N3904 2

    2. Resistor 5 k / W 2

    3. Potensiometer 1 k/ W 2

    4 Potensiometer 10 k/ W 2

    5. Multimeter Sanwa/Madda Min 3

    6. Master Builder S300B 1

    7.Bridge board + Catu Daya split

    15 V (optional, bila (6) tidak

    tersedia)

    1

    8. Kabel-kabel penghubung Secukupnya

    4. PROSEDUR PERCOBAAN

    4.1 Hubungan Common Emitter (CE)

    1)

    Dalam keadaan catu daya mati, rangkailah rangkaian percobaan sebagaimanaditunjukkan pada Gambar P-II.1.

    P-II. 1. Rangkaian percobaan karakteristik transistor-CE

    2) Atur pot-2 ke posisi nol (putar berlawanan jarum jam)dan atur Pot-1 sehingga

    pembacaan Ampermeter (A1) menunjukkan angka 1 A (IB), Bacalah pengukuran

    pada V1(VBE), V2(VCE) dan A2(IC).

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    22/66

    PERCOBAAN II

    KARAKTERISTIK BJT

    II KARAKTERISTIK BJT 12

    3) Dengan menjaga arus IB tetap 0,1 A, putarlah pot-2 searah jarum jam secara

    bertahap, catat pembacaan alat ukur pada V1(VBE), V2(VCE) dan A2(IC).

    4) Ulangi langkah 2 dan 3 dengan mengatur kenaikanIBsebesar 10 A.

    5) Ulangi langkah 2 s.d. 4 sampai dengan nilaiIBmaksimum.

    5. ANALISIS DAN DISKUSI

    Dengan menggunakan hasil pengamatan dan pengukuran lakukanlah analisis dan

    diskusikan hal-hal berikut:

    a. Karakteristik transistor dengan konfigurasi common emitter (CE)

    b.

    Hubungan arus basis dan arus kolektorc. Hubungan tegangan VBEdan tegangan sumber

    d. Hubungan tegangan VCEdan tegangan sumber.

    6. TUGAS

    1. Jelaskan karakteristik transistor dengan konfigurasi common emitter, sertakan

    jawaban dengan grafik hubungan arus basis, arus kolektor dan tegangan kolektor

    emitter.

    2. Apa fungsi resistor 5 k pada rangkaian percobaan?

    3.

    Apa kegunaan pot-1 dan pot-2 pada rangkaian percobaan.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    23/66

    13

    PERCOBAAN III

    CATU DAYA

    1.

    TUJUAN

    a. Memahami prinsip kerja catu daya.

    b. Mengetahui cara kerja rangkaian sebagai penyearah setengah gelombang dan juga

    sebagai penyearah gelombang penuh.

    c. Mengetahui jenis-jenis rangkaian penyearah gelombang.

    2. DASAR TEORI

    2.1 Penyearah Setengah Gelombang

    Pada gambar di bawah ini, dapat dilihat dioda tersambung kesuatu sumber ac dan sebuah resistor beban Rv membentuk penyearah setengah

    gelombang. Perlu diingat bahwa semua symbol ground mewakili titik elektrik yang sama.

    Gambar 3. 1. Pergantian positif dari tegangan masukan yang bernilai 60 Hz

    Tegangan outputnya terlihat seperti setengah positif dari tegangan input. Arus

    mengalir melalui ground kembali ke sumber.

    Gambar 3. 2. Selama pergantian negatif dari tegangan input, arus = 0, sehingga tegangan output juga 0

    Gambar 3. 3. 60Hz setengah gelombang tegangan output selama tiga siklus masukan

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    24/66

    PERCOBAAN III

    CATU DAYA

    III CATU DAYA 14

    2.2 Penyearah Setengah Gelombang dengan Transformator

    Transformatorsering digunakan untuk pasangan tegangan input AC dari sumber

    ke penyearah, seperti yang ditunjukkan pada Gambar 3.4. Transformer kopling

    memberikan dua keuntungan. Pertama, itu memungkinkan sumber tegangan harus

    ditingkatkan atau mundur sebagai diperlukan. Kedua,sumber AC electrically terisolasi

    dari penyearah,sehingga mencegah bahaya sengatan listrikdi sirkuit sekunder.

    Gambar 3. 4. Penyearah Setengah Gelombang dengan Transformator

    Tegangan sekunder dari transformator sama dengan perubahan rasio , n, kali

    tegangan primer, seperti yang dinyatakanNsec dalam Persamaan 3.4. Berikut perumusan

    rasio belitan sekunder, untuk berubah menjadi primer,

    Npri/n=Nsec/NpriVsec=Nvpri (3.4)

    2.3 Penyearah Gelombang Penuh

    Sebuah penyearah gelombang penuh memungkinkan searah (satu arah) arus yang

    melalui beban selama seluruh 360dari siklus input, sedangkan penyearah setengah

    gelombang memungkinkan arus melalui beban hanya selama satu-setengah dari siklus.

    Hasil rektifikasi gelombang penuh adalah tegangan output dengan frekuensi dua kali

    frekuensi input yang berdenyut setiap setengah siklus input, seperti yang ditunjukkan

    pada Gambar 3.5 .

    Gambar 3. 5. Penyearah Gelombang Penuh

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    25/66

    PERCOBAAN III

    CATU DAYA

    III CATU DAYA 15

    2.4 Penyearah Gelombang Penuh dengan Transformator

    Sebuah pusat kendali penyearaha dalah jenis penyearah gelombang penuhyang

    menggunakan dua diode terhubung kesekunder dari sebuah transformator pusat-kendali,

    seperti yang ditunjukkan pada Gambar 3.6. Tegangan input digabungkan melalui

    transformator ke pusat kendali sekunder. Setengah dari keseluruhan tegangan sekunder

    muncul antara pusat dan tekan setiap akhir gulungan sekunder.

    Gambar 3. 6. Pusat Kendali Penyearah Gelombang Penuh

    2.5 Penyearah Gelombang Jembatan Penuh

    Jembatan penyearah dioda terhubung menggunakan empat dioda seperti yang

    ditunjukkan pada Gambar 3.7. Ketika inputsiklus adalah positif), dioda D, dan D 2

    merupakan forward bias dan melakukan conduct arus diarah yang ditunjukkan. Sebuah

    tegangan dikembangkan di Rl yang terlihat seperti setengah positifmasukan siklus.

    Selama waktu ini, dioda D3 dan D4 merupakan reverse-bias.

    Gambar 3. 7. Penyearah Gelombang Jembatan Penuh

    3.

    KOMPONEN DAN PERALATAN

    Adapun alat dan bahan yang diperlukan dalam praktikum ini adalah:

    No. Nama Komponen/Alat Jenis/Merek/Nilai Jumlah (Unit)

    1. Dioda 1N4002/1N4001 5

    2. Resistor 10 ; 22 / 2W @ 3

    3. Kapasitor 1000 F atau 2200F @ 2

    4 Osiloskop 1

    5. Multimeter Sanwa 1

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    26/66

    PERCOBAAN III

    CATU DAYA

    III CATU DAYA 16

    6. Master Builder 1

    7.Bridge board + Catu Daya ac 12

    vac (optional, bila (6) tidak

    tersedia)

    1

    8. Kabel-kabel penghubung Secukupnya

    4. PROSEDUR PERCOBAAN

    4.1 Penyearah Setengah Gelombang

    1) Dalam keadaan catu daya dimatikan, rangkai rangkaian percobaan seperti pada

    Gambar P-III.1.

    Gambar P-III. 1. Rangkaian percobaan penyearah setengah gelombang

    2) Periksa rangkaian secara seksama, jika sudah benar (tanyakan asisten) nyalakan

    catu daya dan amati bentuk gelombang pada TP1 melalui CH-1 dan TP2 melalui

    CH-2 pada layar osiloskop, ubah-ubah Volt/div dan Time/div untuk melihat

    variasi bentuk tegangan.

    3) Atur Time/div= 10 ms dan Volt/div = 2 Volt/div, kemudian catat dan gambarkan

    bentuk gelombang pada CH-1 dan CH-2.

    4) Ukur tegangan pada TP-1 dan TP-2 dengan menggunakan Voltmeter

    5) Ukur frekuensi pada TP-1 dan TP-2 dengan menggunakan frekuensi

    counter/osiloskop atau Voltmeter.

    6) Matikan catu daya, kemudian pasanglah kapasitor C1 paralel dengan resistor

    (Penyearah setengah gelombang dengan filter) seperti ditunjukkan pada Gambar

    P-III.2.

    7) Ulangi langkah 2 s.d. 5, catat hasil pengamatan anda.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    27/66

    PERCOBAAN III

    CATU DAYA

    III CATU DAYA 17

    Gambar P-III. 2. Penyearah setengah gelombang dengan filter kapasitor

    4.2 Penyearah Gelombang Penuh

    1) Dalam keadaan catu daya dimatikan, rangkai rangkaian percobaan seperti pada

    Gambar P-III.3.

    Gambar P-III. 3. Rangkaian percobaan penyearah gelombang Penuh

    2) Periksa rangkaian secara seksama, jika sudah benar (tanyakan asisten) nyalakan

    catu daya dan amati bentuk gelombang pada TP1 melalui CH-1, TP2 melalui CH-

    2 dan TP3 melalui CH-3 pada layar osiloskop, ubah-ubah Volt/div dan Time/div

    untuk melihat variasi bentuk tegangan.

    3) Atur Time/div= 10 ms dan Volt/div = 2 Volt/div, kemudian catat dan gambarkan

    bentuk gelombang pada CH-2.

    4) Ukur tegangan TP-1 dan TP-2 dengan menggunakan Voltmeter

    5) Ukur frekuensi pada TP-1 dan TP-2 dengan menggunakan frekuensi

    counter/osiloskop atau Voltmeter.

    6) Matikan catu daya, kemudian pasanglah Kapasitor C1 paralel dengan resistor

    (Penyearah gelombang penuh dengan filter) seperti ditunjukkan pada Gambar

    P-III.4.

    7) Ulangi langkah 2 s.d. 5, catat hasil pengamatan anda.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    28/66

    PERCOBAAN III

    CATU DAYA

    III CATU DAYA 18

    Gambar P-III. 4. Rangkaian percobaan penyearah Gel. Penuh dengan filter

    4.3 Penyearah Jembatan

    1) Dalam keadaan catu daya dimatikan, rangkai rangkaian percobaan seperti pada

    Gambar P-III.5.

    Gambar P-III. 5. Rangkaian percobaan penyearah jembatan

    2) Periksa rangkaian secara seksama, jika sudah benar (tanyakan asisten) nyalakan

    catu daya dan amati bentuk gelombang pada TP1 melalui CH-1 dan TP2 melalui

    CH-2 pada layar osiloskop, ubah-ubah Volt/div dan Time/div untuk melihat

    variasi bentuk tegangan.3) Atur Time/div= 10 ms dan Volt/div = 2 Volt/div, kemudian catat dan gambarkan

    bentuk gelombang pada CH-2.

    4) Ukur tegangan TP-1 dan TP-2 dengan menggunakan Voltmeter

    5) Ukur frekuensi pada TP-1 dan TP-2 dengan menggunakan frekuensi

    counter/osiloskop atau Voltmeter.

    6) Matikan catu daya, kemudian pasanglah Kapasitor C1 paralel dengan resistor

    (Penyearah Jembatan dengan filter) seperti ditunjukkan pada Gambar P-III.6.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    29/66

    PERCOBAAN III

    CATU DAYA

    III CATU DAYA 19

    7) Ulangi langkah 2 s.d. 5, catat hasil pengamatan anda.

    Gambar P-III. 6. Rangkaian percobaan penyearah jembatan dengan filter kapasitor

    5. ANALISIS DAN DISKUSI

    Dengan menggunakan hasil pengamatan dan pengukuran lakukanlah analisis dan

    diskusikan hal-hal berikut:

    a. Penyearah setengah gelombang tanpa filter dan dengan filter

    b. Penyearah gelombang penuh tanpa filter dan dengan filter

    c. Penyearah jembatan tanpa filter dan dengan filter

    6.

    TUGAS

    1. Jelaskan Prinsip Kerja dari penyearah 1 dioda, 2 Dioda dan 4 Dioda!

    2. Apa fungsi kapasitor pada penyearah?

    3. Jelaskan istilah filter pada penyearah!

    4. Manakah dari ketiga penyearah di atas yang lebih baik, jelaskan?

    5. Apa kesimpulan saudara pada percobaan ini?

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    30/66

    20

    PERCOBAAN IV

    RANGKAIAN PRA TEGANGAN TRANSISTOR

    1.

    TUJUAN

    a. Mempelajari jenis-jenis rangkaian pra tegangan transistor

    b. Dapat menentukan titik operasi transistor (titik Q)

    c. Mengetahui pengaruh hubungan titik operasi (Q ) terhadap sinyal keluaran

    2. DASAR TEORI

    Titik operasi dari penguat transistor ditentukan dengan mengatur tegangan pada

    transistor dengan rangkaian pra tegangan. Macam-macam rangkaian pra tegangan seperti

    ditunjukkan pada gambar pecobaan.a. Garis Beban DC

    Performansi dari penguat transistor dapat diprediksi dari garus beban dc. Garis

    beban dc menggambarkan daerah operasi transistor (daerah aktif). Dari gambar

    percobaan, jika VCC,RC danREdiketahui maka garis beban dc dapat digambarkan melalui

    dua titik perpotongan axis arusIC dan axis tegangan (VCE) seperti pada Gambar 4.1.

    Gambar 4. 1. Garis beban dc

    b. Pra Tegangan Pembagi Tegangan

    Rangkaian pra tegangan yang menempatkan titik operasi transistor (Q) pada posisi

    yang relatif stabil adalah rangkaian pra tegangan pembagi tegangan. Ide dari rangkaian

    ini adalah penempatan dua resistor secara seri pada sisi basis yang berfungsi sebagai

    pembagi tegangan. Tegangan yang melintasi resistorR2digunakan untuk mengendalikan

    tegangan Basis, sebagaimana terlihat pada Gambar 4.2. karena perubahan tegangan basis

    ditentukan oleh perubahanR2maka nilai arus basis (IB) hanya bergantung pada perubahan

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    31/66

    PERCOBAAN IV

    RANGKAIAN PRA TEGANGAN TRANSISTOR

    IV PRA TEGANGAN TRANSISTOR 21

    R2, biasanya nilai R2 dapat dipilih secara konstan sehingga arus basis dapat dijaga tetap

    konsekuensinya arus kolektor (IC) juga akan bernilai tetap, hasilnya titik Q akan berada

    pada titik yang relatif konstan.

    Gambar 4. 2. Rangkaian pra tegangan pembagi tegangan

    c. Pra Tegangan Umpan Balik Kolektor

    Idealnya, titik operasi transistor (Q) kokoh pada posisi yang diinginkan tidak

    terpengaruh oleh perubahan temperatur ataupun dc

    dan faktor-faktor lainnya. Namunrealitanya, titik Q akan sedikit bergeser dari posisi yang ditentukan oleh pengguna hal ini

    akibat efek dari temperatur dan dc. Rangkaian Pra tegangan umpan balik kolektor adalah

    salah satu rangkaian yang meminimalisir efek tersebut.

    Gambar 4. 3. Rangkaian pra tegangan umpan balik emitter.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    32/66

    PERCOBAAN IV

    RANGKAIAN PRA TEGANGAN TRANSISTOR

    IV PRA TEGANGAN TRANSISTOR 22

    3. KOMPONEN DAN PERALATAN

    No. Nama Komponen/Alat Jenis/Merek/Nilai Jumlah (Unit)

    1. Transistor 2N3904 2

    2. Resistor 270 ; 100 @ 2

    3. Resistor 10 k ; 1k @ 2

    4. Multimeter Sanwa 3

    5. Potensiometer 10 k

    6. Master Builder S300B 1

    7.Bridge board + Catu Daya +15 DC (optional, bila (6)

    tidak tersedia)1

    8. Kabel-kabel penghubung Secukupnya

    4. PROSEDUR PERCOBAAN

    4.1 Rangkaian Pra Tegangan Pembagi Tegangan

    1) Dalam catu daya OFF, buat rangkaian percobaan seperti Gambar P-IV.1 di bawah

    ini.

    Gambar P-IV. 1. Rangkaian percobaan pra tegangan pembagi tegangan

    2) Hidupkan sumber daya

    3) Ukur tegangan VCC.

    4) Hubung singkat terminal emiter dan kolektor dan catat arus kolektor saturasi IC(sat).

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    33/66

    PERCOBAAN IV

    RANGKAIAN PRA TEGANGAN TRANSISTOR

    IV PRA TEGANGAN TRANSISTOR 23

    5) Atur RXsehingga ICdidapat 0,5 IC(sat)dan VCE=0,5 VCC, catat harga RX, IC, VCE,

    IB, dan VBBpada tabel (saat ini titik operasi berada di tengah garis beban dc).

    6) Atur RXuntuk posisi titik operasi yang lain, misal IC= 0,25 IC(sat).

    7) Gambarkan garis beban dc berdasarkan data yang diperoleh.

    4.2 Rangkaian Pra Tegangan Umpan Balok Kolektor

    1) Dalam catu daya OFF, buat rangkaian percobaan seperti Gambar P-IV.1 di bawah

    ini.

    Gambar P-IV. 2. Rangkaian percobaan pra tegangan umpan balik kolektor

    2) Hidupkan sumber daya

    3) Ukur tegangan VCC.

    4) Hubung singkat terminal emiter dan kolektor dan catat arus kolektor saturasi

    IC(sat).5) Atur RXsehingga ICdidapat 0,5 IC(sat) dan VCE=0,5 VCC, catat harga RX, IC, VCE,

    IB, dan VBBpada tabel (saat ini titik operasi berada di tengah garis beban dc).

    6) Atur RXuntuk posisi titik operasi yang lain, misal IC= 0,25 IC(sat).

    7) Gambarkan garis beban dc berdasarkan data yang diperoleh.

    5. ANALISIS DAN DISKUSI

    Dengan menggunakan hasil pengamatan dan pengukuran lakukanlah analisis dan

    diskusikan hal-hal berikut:

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    34/66

    PERCOBAAN IV

    RANGKAIAN PRA TEGANGAN TRANSISTOR

    IV PRA TEGANGAN TRANSISTOR 24

    a. Kegunaan rangkaian pra tegangan

    b. Keuntungan penempatan titik operasi Q di tengah-tengah garis beban dc

    6. TUGAS

    1. Hitung parameter-parameter transistor seperti IC, IC(sat), IB, VCE, VB, dc!

    2. Jelaskan, apa kegunaan menentukan titik operasi (Q) transistor?

    3. Jelaskan hal-hal yang mempengaruhi titik operasi transistor?

    4. Sebutkan kelebihan dan kelemahan masing-masing rangkaian?

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    35/66

    25

    PERCOBAAN V

    PENGUAT TRANSISTOR BJT

    1.

    TUJUAN

    a. Mengetahui dan mempelajari fungsi transistor sebagai penguat.

    b. Mengetahui dan karakteristik penguat konfigurasi common emitter (CE)

    2. DASAR TEORI

    Transistor merupakan komponen dasar untuk sistem penguat. Untuk bekerja

    sebagai penguat, transistor harus berada dalam kondisi aktif. Kondisi aktif dihasilkan

    dengan memberikan bias (pra tegangan) pada transistor. Bias (pra tegangan) dapat

    dilakukan dengan memberikan arus yang konstan pada basis atau pada kolektor. Jika padakondisi aktif, transistor diberikan sinyal (input) yang kecil, maka akan dihasilkan sinyal

    keluaran (output) yang lebih besar. Hasil bagi sinyal output dan input inilah yang disebut

    sebagai faktor penguatan yang sering diberi notasiA.

    Ada sejumlah konfigurasi penguat diantaranya adalah penguat dengan konfigurasi

    common emitter (CE), common collector (CC) dan common base (CB). Dalam percobaan

    ini hanya akan disajikan satu konfigurasi saja yaitu penguat dengan konfigurasi common

    emitter (CE).

    Rangkaian penguat CE ditunjukkan pada Gambar 5.1. pemberian pra tegangan

    transistor dapat dipilih sesuai dengan kebutuhan pengguna, dalam kasus ini rangkaian pra

    tegangan yang digunakan adalah rangkaian pra tegangan pembagi tegangan. Kapasistor

    couplingmenghubungkan sinyal masukan (input) ke penguat, dan juga menghubungkan

    keluaran (output) penguat ke beban.

    Gambar 5. 1. Penguat common emitter (CE)

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    36/66

    PERCOBAAN V

    PENGUAT TRANSISTOR BJT

    V PENGUAT TRANSISTOR BJT 26

    . Impedansi (Resistansi) input, output dan penguatan penguat dapat dihitung

    dengan menggunakan persamaan-persamaan berikut:

    '

    ( )

    '

    1 2

    '

    (5.1)

    || || (5.2)

    (5.3)

    Penguatan tanpa beban ( ): (5.4)

    Tegangan keluaran tanpa beban: (5.5)

    Tegangan beban: (5.6)

    in basis E

    in E

    in

    in s

    in s

    C

    E

    out in

    L

    L out

    C L

    Z r

    Z R R r

    Zv V

    Z R

    RA A

    r

    v Av

    Rv v

    R R

    3. KOMPONEN DAN PERALATAN

    No. Nama Komponen/Alat Jenis/Merek/Nilai Jumlah (Unit)

    1. Transistor 2N3904 2

    2. Resistor 10 k; 2,2 k @ 2

    3. Resistor 3,6 k; 1k; 1,5 k @ 2

    4. Multimeter Sanwa 2

    5. Osiloskop 10 k

    6. Master Builder S300B 1

    7.Bridge board + Catu Daya +10 DC (optional, bila (6)

    tidak tersedia)1

    8. Function Generator 1

    9. Kapasitor 100 F atau 10 F 5

    10. Kabel-kabel penghubung Secukupnya

    4. PROSEDUR PERCOBAAN

    1) Dalam catu daya OFF, buat rangkaian percobaan seperti Gambar P-V.1 di bawah

    ini.

    2) Hidupkan sumber daya

    3) Ukur tegangan VCC.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    37/66

    PERCOBAAN V

    PENGUAT TRANSISTOR BJT

    V PENGUAT TRANSISTOR BJT 27

    P-V. 1.Rangkaian percobaan penguat CE transistor

    4) Hubung singkat terminal emiter dan kolektor dan catat arus kolektor saturasi

    IC(sat).

    5)

    Pasanglah function generator menggantikan sumber Vs, atur amplitudonya 1 mVpuncak dan frekuensi 1 kHz (pilih gelombang sinusoidal).

    6) Amati dengan osiloskop dan gambarkan bentuk gelombang pada TP1dan TP2.

    7) Naikkan amplitudo Vs secara bertahap misal dengan kenaikan sebesar 2 mV

    Puncak.

    8) Ulangi poin 6 dan 7. Sampai dengan bentuk gelombang sinusoidal terpotong pada

    TP2,Catat tegangan Vs.

    9) Ulangi langkah 6 dan 7 dengan frekuensi sinyal yang berbeda, misal 2, 5, 10, dan

    100 kHz serta 1 MHz.

    10)

    Atur kembali Vs pada 1 mV puncak (1 kHz), lepaskan kapasitor C3dan amati

    bentuk gelombang pada TP1dan TP2.

    5. ANALISIS DAN DISKUSI

    Dengan menggunakan hasil pengamatan dan pengukuran lakukanlah analisis dan

    diskusikan hal-hal berikut:

    a. Prinsip kerja penguat BJT

    b. Batasan dan kekurangan penguat BJT.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    38/66

    PERCOBAAN V

    PENGUAT TRANSISTOR BJT

    V PENGUAT TRANSISTOR BJT 28

    6. TUGAS

    1. Jelaskan ciri-ciri penguat emiter ditanahkan (CE)?

    2. Kenapa keluaran gelombang sinusoidal pada TP2 terpotong saat tegangan Vs

    dinaikkan?

    3. Jelaskan apa yang terjadi saat kapasitor C3dilep

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    39/66

    29

    PERCOBAAN VI

    KARAKTERISTIK DAN PRA TEGANGAN FET

    1.

    TUJUAN

    a. Mengetahui dan mempelajari karakteristik trasnsistor FET.

    b. Mengetahui dan mempelajari penguatan dari sebuah sinyal untuk FET dalam

    Common Source Circuit.

    c. Menyelidiki amplifikasi sinyal dengan sebuah FET dalam rangkaian Common

    Drain.

    2. DASAR TEORI

    2.1

    Rangkaian Ekivalen FETSebuah rangkaian ekivalen FET yang ditunjukkan Gambar 6.1. Pada bagian (a),

    resistansi internal, rgs, muncul antara gerbang dan sumber, dan sumber arus sama dengan

    gm Vgs, muncul antara drain dan source. Juga, resistansi drain-ke-sumber internal, rds,

    disertakan. Pada bagian(b), model yang ideal telah disederhanakan ditampilkan. Para

    resistasi, rds, diasumsikan tak berhingga besar sehingga ada sirkuit terbuka antara

    gerbang dan sumber. Juga, rds diasumsikan cukup besar untuk diabaikan. Sirkuit internal

    setara FET.

    Gambar 6. 1. Rangkaian ekivalen FET

    2.2 Penguatan Tegangan

    Sebuah rangkaian ekivalen FET yang ideal dengan resistansi saluran AC

    eksternala ditunjukkan pada Gambar 6.2. Tegangan AC gain dari rangkaian ini adalah:

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    40/66

    PERCOBAAN VI

    KARAKTERISTIK DAN PRA TEGANGAN FET

    VI PRA TEGANGAN FET 30

    ;dimana ,dan

    maka penguatan tengan adalah:

    out out ds in gs

    in

    ds

    gs

    vv v v vv

    vAv

    v

    dari rangkaian ekivalen tersebut, di dapat: Vd= Ids Rds. Dan dari definisi

    transkonduktansi di peroleh:

    Gambar 6. 2. Rangkaian ekivalen FET dengan resistansi saluran AC

    dari rangkaian ekivalen tersebut, di dapat: Vd= Ids Rds. Dan dari definisi

    transkonduktansi di peroleh:

    dgs

    m

    Iv

    g

    Disubstitusikan dua ekspresi sebelumnya ke dalam persamaan untuk menghasilkan gain

    tegangan:

    /

    d d m d d

    d m d

    I R g I RAv

    I g I

    2.3 Penguat Common Source

    Sebuah penguat common-source adalah salah satu sumber tanpa resistor.Sehingga sumber terhubung ke ground. Self-bias umum-sumber n-channel JFET penguat

    dengan sumber accap acitively digabungkan ke pintu gerbang ditunjukkan pada Gambar

    6.3(a). Resistor, RG, melayani dua tujuan: Ini membuat gerbang disekitar 0Vdc (karena

    IGGS sangat kecil). Dan nilai yang besar (biasanya beberapa megohms) mencegah

    pemuatan sumber sinyal AC. Tegangan bias yang dihasilkan oleh drop di Rs. Kapasitor

    bypass C2 menjaga sumber efektif FET di ground AC.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    41/66

    PERCOBAAN VI

    KARAKTERISTIK DAN PRA TEGANGAN FET

    VI PRA TEGANGAN FET 31

    Gambar 6. 3. Self bias sumber n-channel JFET

    3. KOMPONEN DAN PERALATAN

    1. [email protected]

    2. Kartu percobaan Field effect transistors SO4201-7J

    3. Voltmeter

    4. Function Generator

    5. Osiloskop

    6.

    Jumper7. Kabel Penghubung

    4. PROSEDUR PERCOBAAN

    Common Source Circuit

    1. Suatu percobaan dihubungkan dengan [email protected] interface dan kartu percobaanField

    effect transistors SO4201-7J dimasukkan. Jumper dimasukkan seperti

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    42/66

    PERCOBAAN VI

    KARAKTERISTIK DAN PRA TEGANGAN FET

    VI PRA TEGANGAN FET 32

    yang ditunjukkan oleh garis pada diagram rangkaian dan

    dihubungkan ke [email protected] seperti yang tercantum dalam daftar sambungan.

    Dari Untuk

    Interface S (analog out)

    Interface (analog out)

    Interface S (analog)

    Interface (analog out)

    MP2 (operating point)/MP7 (output)

    Interface A

    MP3

    MP5 (mungkin dihilangkan)

    Interface A+

    Interface A

    Interface B+

    Interface B

    Jumper

    B1, B2 (awal)

    B4 (ditambahkan kemudian)

    2. Semua instrumen virtual yang mungkin telah dibuka, ditutup dan instrumen

    virtual berikut dibuka dari menu Instrumen

    - Voltmeter B

    - Function Generator

    - Osiloskop (Voltmeter ditutup terlebih dahulu) dan disesuaikan seperti yang

    ditunjukkan dalam tabel. Karena voltmeter dan osiloskop tidak dapat

    digunakan pada saat yang bersamaan, solusi yang mungkin adalah voltmeter

    disimpan pada satu ruang kerja dengan voltmeter telah di seting terlebih dulu dan

    kemudianbaru di seting osiloskop.

    Kemudian praktikan dapat berpindah di antara ruang kerja tanpa harus membuka

    dan menutup Vs dan di seting ulang setiap kali.

    Setting

    Voltmeter B

    Range 10V

    DC dan AV untuk mengukur titik operasi

    AC dan Vpp untuk mengukur gain

    OsiloskopA volt/div 100mV AC merah

    B volt/div 100mV AC biru

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    43/66

    PERCOBAAN VI

    KARAKTERISTIK DAN PRA TEGANGAN FET

    VI PRA TEGANGAN FET 33

    Time/div 500s

    Mode X/T

    Trigger A meningkat

    Function Generator

    Tegangan 1:10, 20%

    Frekuensi 1 kHz

    Mode Sinus

    Power ON

    3. Dengan B1 dan B2 jumper dimasukkan, potensiometer R3 digunakan un

    tuk mengatur tingkat operasi dari setengah pasokan listrik tegangan VB

    pada drain FET (MP2) yang diukur sehubungan dengan pentanahan

    (MP5). Kemudian tegangan VGSbisa ditentukan antara gate dan source.

    4. Sinyal 1 kHz gelombang sinus 400 mV amplitudo diaplikasikan ke input

    di MP3. Tegangan input (MP3-MP5) dan output (MP7-MP5) pada osilos kop

    dicatat dan disalin ke dalam Grid 1.

    5. Tentukan gain tegangan dari rangkaian.

    6.

    Jumper B4 ditambahkan sehingga sumber terhubung ke ground melalui kapasitor C4.

    Sinyal gelombang sinus 1 kHz yang sama dari 400 mV amplitudo diterapkan ke

    input diMP3. Masukan dan tegangan keluaran pada osiloskop dicatat dan disalin ke

    dalam Grid 2.

    7. Tentukan gain tegangan dari rangkaian dengan kapasitor pada sumbernya.

    Common Drain Circuit

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    44/66

    PERCOBAAN VI

    KARAKTERISTIK DAN PRA TEGANGAN FET

    VI PRA TEGANGAN FET 34

    1. Suatu percobaan dihubungkan dengan [email protected] di interface dan kartu percobaan

    Field effect transistors SO4201-7J dimasukkan. Jumper dimasukkan seperti

    yang ditunjukkan oleh garis padat dalam diagram rangkaian dan

    dihubungkan ke [email protected] seperti yang tercantum dalam daftar sambungan.

    Dari Untuk

    Interface S (analog out)

    Interface (analog out)

    Interface S (analog)

    Interface (analog out)

    MP6 (operating point)/MP8 (output)

    Interface A

    MP3

    MP5 (mungkin dihilangkan)

    Interface A+

    Interface A

    Interface B+

    Interface B

    Jumper

    B1, B2, B3

    2. Semua instrumen virtual yang telah dibuka, ditutup dan instrumen virtual berikut

    dibuka dari menu Instrumen

    - Voltmeter B

    - Function Generator

    - Osiloskop (Voltmeter ditutup terlebih dahulu) disesuaikan seperti yang

    ditunjukkan dalam tabel. Karena voltmeter dan osiloskop tidak dapat

    digunakan pada saat yang bersamaan, solusi yang mungkin adalah voltmeter

    disimpan pada satu ruang kerja dengan voltmeter telah di seting terlebih dulu dan

    kemudian baru di seting osiloskop.

    Kemudian praktikan dapat berpindah di antara ruang kerja tanpa harus membuka

    dan menutup Vs dan di seting ulang setiap kali.

    Setting

    Voltmeter B

    Range 10V

    DC dan AV untuk mengukur titik operasi

    AC dan Vpp untuk mengukur gain

    Osiloskop A volt/div 100mV AC merah

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    45/66

    PERCOBAAN VI

    KARAKTERISTIK DAN PRA TEGANGAN FET

    VI PRA TEGANGAN FET 35

    B volt/div 100mV AC biru

    Time/div 500s

    Mode X/T

    Trigger A meningkat

    Function Generator

    Tegangan 1:10, 20%

    Frekuensi 1 kHz

    Mode Sinus

    Power ON

    3. Dengan B1, B2 dan B3 jumper dimasukkan, potensiometer R3 digunakan

    untuk mengatur tingkat operasi dari setengah pasokan listrik tegangan VB

    pada drain FET (MP2) yang diukur sehubungan dengan pentanahan

    (MP5). Kemudian tegangan VGSditentukan antara gate dan source.

    4. Sinyal 1 kHz gelombang sinus 4V amplitudo diaplikasikan ke input

    di MP3. Tegangan input (MP3-MP5) dan output (MP8-MP5) pada osilos kop

    dicatat dan disalin ke dalam Grid 1.

    5.

    Tentukan besarnya gain.

    6. Jelaskan bagaimana rangkaian beroperasi persamaan dan perbedaan dengan

    rangkaian penguat menggunakan transistor bipolar.

    7. Ringkas perbedaan antara Common Source dan sirkuit Common Drain, tabel berikut

    diisi dengan karakteristik yang telah diamati selama percobaan.

    Common Source Common Drain

    Input resistansi re

    Output resistansi ra

    Tegangan gain Vu

    Perbedaan

    5. ANALISIS DAN DISKUSI

    Dengan menggunakan hasil pengamatan dan pengukuran lakukanlah analisis dan

    diskusikan hal-hal berikut:

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    46/66

    PERCOBAAN VI

    KARAKTERISTIK DAN PRA TEGANGAN FET

    VI PRA TEGANGAN FET 36

    a. Prinsip kerja penguat rangkaian pra tegangan FET.

    6. TUGAS

    1. Sebutkan dan Jelaskan unsur-unsur pembentuk Transistor FET !

    2. Jelaskan karakteristik, fungsi dan prinsip kerja dari Transistor FET !

    3. Apa perbedan transistor BJT dan transistor FET?

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    47/66

    PERCOBAAN 7

    OPERATIONAL AMPLIFIER

    7.1 TUJUAN

    Mempelajari prinsip kerja Op-Amp sebagai penguat inverting dan

    noninverting.

    7.2 DASAR TEORI

    Penguat standar (op-amp) operasional ditunjukkan pada Gambar 14(a)

    memiliki dua input terminal pembalik-masukan dan input (+) non-inverting, dan

    satu output terminal Ciri khas op-amp beroperasi dengan dua pasokan tegangan

    disatu positif dan lainnya negatifsepertiyang ditunjukkanpadaGambar 14(b)

    Gambar 14.Simbol Op-Amp

    A. Non Inverting

    Sebuah op-amp terhubung dalam konfigurasi loop tertutup sebagaipenguat noninverting dengan jumlah yang dikendalikan dari gain tegangan

    ditunjukkan pada Gambar 15. Sinyal input yang diterapkan pada input (+)

    noninverting. Output diterapkan kembali ke inverting (-) input melalui rangkaian

    umpan balik (tertutup loop) formed oleh resistor masukan R, dan resistor umpan

    balik R I. Hal ini menciptakan umpan balik negatif sebagai berikut. Resistor R i

    dan RJ fonn tegangan pembagi-CIR- cuit, yang mengurangi V Olll dan

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    48/66

    menghubungkan VI teganganberkurang ke input pembalik. Feed- tegangan

    kembali dinyatakan sebagai:

    Gambar 15. Noninverting Amplifier

    B. Inverting

    Sebuah op-amp terhubung sebagai penguat pembalik dengan jumlah

    terkendali Jika gain tegangan, Hditunjukkan pada Gambar16. Sinyal input

    diterapkan melalui R masukan seri resistor, untuk pembalik - input . Juga, output

    makan kembali melalui Rf untuk input yang sama. Non- pembalik (+) input

    graund.

    Gambar 16. Rangkaian Inverting

    Pada titik ini. Op-amp yang ideal parameter yang disebutkan sebelumnya

    berguna dalam menyederhanakan dalam menyederhanakan analisis rangkaian ini.

    Secara khusus, konsep inpedansi masukan tak terbatas adalah nilai besar.

    Impedansi masukan tak terbatas menyiratkan arus nol saat ini melalui impedansi

    input, maka tidak boleh ada drop tegangan antara input inverting dan non

    inverting. Ini berarti bahwa tegangan pada inverting (-) input adalah nol karena

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    49/66

    input (+) non inverting didasarkan. Kondisi ini di ilustrasikan seperti pada gambar

    di bawah

    Gambar 17.Rangkaian amplifier

    7.3 ALAT DAN BAHAN

    Adapun alat dan bahan yang diperlukan dalam praktikum ini diantaranya:

    1.

    Power supplay

    2. PC

    3. Multimeter

    4. Function generator

    5. Unitrain interface dan unitrain eksperimenter

    6.

    Jumper

    7.

    IC OP-AMP

    8. Resistor 100k, 49.9k, 200 k, 20 dan 10k

    7.4 PROSEDUR PERCOBAAN

    A. Inverting Amplifier

    1. Gain Factor

    1. Buka software lucas [email protected] dan buka modul percobaan pada

    menu.

    2. Hubungkan unitrain experiment dengan unitrain interface.

    Kemudian rangkainlah seperti pada gambar

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    50/66

    3.

    Buka DC source. Atur range 1 V dan output voltage 0.5 V

    4. Buka voltmeter A. Atur Measurement rang 2VDC dan Operating

    mode AV. Catat hasilnya pada lampiran.

    5. Atur Output voltage menjadi 1 V dan catat hasilnya.

    2. Feedback Resistace Change

    1. Rangkailah rangkaian seperti gambar berikut

    2. Buka Instruments dan DC source

    3. Atur voltage (Vin) 0,5 V dan catat hasilnya pada table

    3. Input Resistace Change

    1. Rangkailah rangkaian seperti pada gambar berikut

    2. Ulangi langkah 2 dan 3 pada percobaan sebelumnya

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    51/66

    4. Cut off Frequency

    1. Rangkain sama seperti pada percobaan sebelumnya.

    2. Buka function generator dan atur amplitudo dengan 1:10 dan 100%

    3.

    Singal shape diatur sinusoidal

    4.

    Bukavoltmeter A (Vout). Atur measurement range 20 volt AC dan

    operating diatur mode P

    5. Buka voltmeter B ( Vin). Atur measurement range 2 volt AC dan

    operating mode P

    6. Atur frequensi pada function generator 0,1kHz

    7.

    Catat hasilnya pada lampiran

    8.

    Ulangi langkah 6 untuk frekuensi 0.2,0.5, 1.5,10,50,100kHz

    9. Perhatikan bentuk grafinya

    B. Non Inverting Amplifier

    1. Gain Factor

    1.

    Ragkailah rangkaian seperti pada gambar berikut

    2. Buka DC source dan atur Output voltage 1 V

    3. Buka voltmeter A (Vout). Atus measurement pada range 20 volt

    DC dan operating mode AV

    4. Buka voltmeter B. Atur measurement pada range 2 volt AC dan

    operating mode AV

    5. Catat hasil pengukuran pada lampiran

    6. Atur input voltage menjadi 1 volt

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    52/66

    2. Feedback Resistace

    1. Rangkailah rangkaian seperti gambar berikut

    2. BukaInstrument, Voltage source, DC source

    3. Atur voltage input (Vin) 0,5 volt

    4. Catat hasilnya pada lampiran

    TUGAS PENDAHULUAN

    1.

    Sebutkan contoh-contoh type IC Op-amp !

    2. Jelaskan karakteristik, fungsi dan prinsip kerja dari Op-amp !

    3. Apa perbedaan dari Inverting dan Noninverting ?

    Note:

    * Jawaban tidak diperbolehkan sama degan kawan.

    * Bagi yang sama TP tidak diperiksa.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    53/66

    PERCOBAAN 8

    KOMPARATOR

    8.1 TUJUAN

    1. Untuk menunjukkan hubungan antara tegangan input dan

    tegangan output untuk komparator.

    2. Untuk menunjukkan Fungsi pembanding dieksplorasi praktis dan

    diverifikasi eksperiment.

    8.2 DASAR TEORI

    Komparator adalah jenis op-amp yang membandingkan dua tegangan

    input dan menghasilkan satu yang menunjukkan lebih besar dari atau kurang dari

    hubungan antara input. Salah satu aplikasi dari sebuah op-amp digunakan sebagai

    komparator adalah untuk menentukan kapan input tegangan melebihi tingkat

    tertentu. Gambar 18(a) menunjukkan Nol-detektor Evel. Perhatikan bahwa

    pembalik (-) input beralasan untuk menghasilkan tingkat nol dan bahwa input

    signal tegangan diterapkan pada masukan (+) noninverting. Karena gain loop

    terbuka tegangan tinggi, sangat sama perbedaan tegangan antara dua input

    penguat drive ke dalam kejenuhan, karena tegangan output untuk pergi ke

    batasnya. Sebagai contoh, pertimbangkan sebuah op-amp yang memiliki Aol =

    100.000. Perbedaan tegangan hanya 0,25 mV antara input dapat menghasilkan

    output tegangan (0,25 mV) (J 00.000) = 25 V jika op-amp yang mampu. Namun,

    karena sebagian op-amp memiliki keterbatasan tegangan output maksimum 15 V

    karena pasokan ke mereka tegangan, perangkat akan didorong ke kejenuhan.

    Gambar 18.Op-ampsebagai detektor tingkat nol.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    54/66

    Gambar 18(b) menunjukkan hasil tegangan masukan sinusoidal diterapkan pada

    noninverting (+) Masukan tersebut yang nol-tingkat detektor. Ketika gelombang

    sinus pdcitif, outputnya berusahaan max-tingkat pdcitif namum ketika gelombang

    sinus salib 0, penguat didorong untuk sebaliknya dan output pergi ke tingkat

    maksimum negatif, seperti yang ditunjukkan. Seperti yang Anda lihat, nol-

    detektor level bisa digunakan sebagai sirkuit mengkuadratkan untuk menghasilkan

    gelombang persegi dari gelombang sinus

    8.3 ALAT DAN BAHAN

    Adapun alat dan bahan yang diperlukan dalam praktikum ini diantaranya:

    1.

    Power supply, PC

    2. Multimeter

    3. Function generator

    4. Unitrain interface dan unitrain eksperimenter

    5. Jumper

    6. Resistor 4.7 k dan 1.5 k

    8.4 PROSEDUR PERCOBAAN

    A. Keluaran Respon sebagai Fungsi dari Tegangan Input

    1. Rangkailah rangkaianseperti gambar berikut

    2. buka voltmeter A dan atur seperti pada tabel di bawah

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    55/66

    3. buka voltmeter B dan atur seperti pada tabel di bawah

    4.

    buka DC source dan atur seperti pada tabel di bawah

    5.

    putar potensiometer P1 ke batas yang paling kanan.

    6. Tingkatka tegangan inputdarisumber DCsampai lampu

    LEDmerahmenjadipadamdanlampuLEDhijauhidup. Selanjutnya

    kurangi tegangan input sampai lampu LED merah kembali menyala.

    B. Respon Keluaran terhadap tegangan AC

    1. Rangkailah rangkaian seperti berikut:

    2. Buka function generator dan atur seperti pada tabel di bawah

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    56/66

    3. Buka osiloscope dan atur seperti pada tabel dibawah

    4.

    Ubah tegangan referensidengan menggunakan potensiometer P1 danamati perubahan pada osiloskop. P1 digunakan untuk

    mengaturteganganreferensisehingga trigger

    atauambangswitching pembanding adalah

    di sekitar+5 V.Osiloskop digunakan

    untukmengukurteganganinputVIndanVOut.

    TUGAS PENDAHULUAN

    1. Apa yang maksud dengan Komparator ?

    2. Jelaskan karakteristik, fungsi dan prinsip kerja dari Komparator !

    3. Bagaimana keadaan Vout apabila Vin lebih besar dari tegangan referensi!

    (Pilih salah satu)

    a. High ( Jelaskan ! ) b. Low ( Jelaskan ! )

    Note:

    * Jawaban tidak diperbolehkan sama degan kawan.

    * Bagi yang sama TP tidak diperiksa.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    57/66

    DS28002 Rev. 8 - 2 1 of 3www.diodes.com

    1N4001-1N4007 Diodes Incorporated

    1N4001 - 1N40071.0A RECTIFIER

    Features

    Diffused Junction

    High Current Capability and Low Forward Voltage Drop

    Surge Overload Rating to 30A Peak

    Low Reverse Leakage Current

    Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 3)

    Mechanical Data

    Case: DO-41

    Case Material: Molded Plastic. UL Flammability ClassificationRating 94V-0

    Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D

    Terminals: Finish - Bright Tin. Plated Leads Solderable perMIL-STD-202, Method 208

    Polarity: Cathode Band

    Mounting Position: Any

    Ordering Information: See Page 2

    Marking: Type Number

    Weight: 0.30 grams (approximate)

    DimDO-41 Plastic

    Min Max

    A 25.40

    B 4.06 5.21

    C 0.71 0.864

    D 2.00 2.72

    All Dimensions in m m

    Maximum Ratings andElectrical [email protected]= 25C unless otherwise specified

    Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.For capacitive load, derate current by 20%.

    Characterist ic Symbol 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 Unit

    Peak Repetitive Reverse VoltageWorking Peak Reverse VoltageDC Blocking Voltage

    VRRMVRWM

    VR

    50 100 200 400 600 800 1000 V

    RMS Reverse Voltage VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 VAverage Rectified Output Current (Note 1) @ TA= 75C IO 1.0 A

    Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3mssingle half sine-wave superimposed on rated load

    IFSM 30 A

    Forward Voltage @ IF= 1.0A VFM 1.0 V

    Peak Reverse Current @TA = 25C

    at Rated DC Blocking Voltage @ TA= 100CIRM

    5.050

    A

    Typical Junction Capacitance (Note 2) Cj 15 8 pF

    Typical Thermal Resistance Junction to Ambient RJA 100 K/W

    Maximum DC Blocking Voltage Temperature TA +150 C

    Operating and Storage Temperature Range TJ, TSTG -65 to +150 C

    Notes: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.3. EU Directive 2002/95/EC (RoHS). All applicable RoHS exemptions applied, seeEU Directive 2002/95/EC Annex Notes.

    Please click here to visit our online spice models database

    LAMPIRAN DATA SHEET

    http://www.diodes.com/http://www.diodes.com/products/spicemodels/index.phphttp://europa.eu.int/eur-lex/pri/en/oj/dat/2003/l_037/l_03720030213en00190023.pdfhttp://www.diodes.com/products/spicemodels/index.phphttp://www.diodes.com/http://europa.eu.int/eur-lex/pri/en/oj/dat/2003/l_037/l_03720030213en00190023.pdf
  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    58/66

    DS28002 Rev. 8 - 2 2 of 3www.diodes.com

    1N4001-1N4007 Diodes Incorporated

    40 60 80 100 120 140 160 1800

    0.2

    0.4

    0.6

    0.8

    1.0

    I

    ,AVERAGEFORWARDREC

    TIIEDCURRENT(A)

    (AV)

    T , AMBIENT TEMPERATURE (C)

    Fig. 1 Forward Current Derating CurveA

    0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.60.01

    0.1

    1.0

    I,INSTANTANEOUS

    OR

    WARDC

    RRENT(A)

    F

    V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

    Fig. 2 Typical Forward CharacteristicsF

    10

    T, = 25 C

    Pulse Width = 300 s2% Duty Cycle

    jo

    1.0 10 100

    I

    ,PEAKFORWARDSURGECURRENT(A)

    FSM

    NUMBER OF CYCLES AT 60 HzFig. 3 Max Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current

    40

    30

    20

    0

    10

    50

    C,CAPACITANCE(pF)

    j

    V , REVERSE VOLTAGE (V)

    Fig. 4 Typical Junction CapacitanceR

    1.0 10 100

    1.0

    10

    100T = 25Cj

    f = 1MHz

    1N4001 - 1N4004

    1N4005 - 1N4007

    Ordering Information (Note 4)

    Device Packaging Shipping

    1N4001-B DO-41 Plastic 1K/Bulk

    1N4001-T DO-41 Plastic 5K/Tape & Reel, 13-inch

    1N4002-B DO-41 Plastic 1K/Bulk

    1N4002-T DO-41 Plastic 5K/Tape & Reel, 13-inch1N4003-B DO-41 Plastic 1K/Bulk

    1N4003-T DO-41 Plastic 5K/Tape & Reel, 13-inch

    1N4004-B DO-41 Plastic 1K/Bulk

    1N4004-T DO-41 Plastic 5K/Tape & Reel, 13-inch

    1N4005-B DO-41 Plastic 1K/Bulk

    1N4005-T DO-41 Plastic 5K/Tape & Reel, 13-inch

    1N4006-B DO-41 Plastic 1K/Bulk

    1N4006-T DO-41 Plastic 5K/Tape & Reel, 13-inch

    1N4007-B DO-41 Plastic 1K/Bulk

    1N4007-T DO-41 Plastic 5K/Tape & Reel, 13-inch

    Notes: 4. For packaging details, visit our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02008.pdf.

    http://www.diodes.com/http://www.diodes.com/datasheets/ap02008.pdfhttp://www.diodes.com/datasheets/ap02008.pdfhttp://www.diodes.com/
  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    59/66

    DS28002 Rev. 8 - 2 3 of 3www.diodes.com

    1N4001-1N4007 Diodes Incorporated

    IMPORTANT NOTICEDiodes Incorporated and its subsidiaries reserve the right to make modifications, enhancements, improvements, corrections or other changeswithout further notice to any product herein. Diodes Incorporated does not assume any liability arising out of the application or use of any producdescribed herein; neither does it convey any license under its patent rights, nor the rights of others. The user of products in such applications shalassume all risks of such use and will agree to hold Diodes Incorporated and all the companies whose products are represented on our websiteharmless against all damages.

    LIFE SUPPORT

    Diodes Incorporated products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without the expressed writtenapproval of the President of Diodes Incorporated.

    http://www.diodes.com/http://www.diodes.com/
  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    60/66

    Semiconductor Components Industries, LLC, 2012

    August, 2012

    Rev. 8

    1 Publication Order Number:

    2N3903/D

    2N3903, 2N3904

    General PurposeTransistors

    NPN SiliconFeatures

    PbFree Packages are Available*

    MAXIMUM RATINGS

    Rating Symbol Value Unit

    CollectorEmitter Voltage VCEO 40 Vdc

    CollectorBase Voltage VCBO 60 Vdc

    EmitterBase Voltage VEBO 6.0 Vdc

    Collector Current Continuous IC 200 mAdc

    Total Device [email protected] TA= 25CDerate above 25C

    PD6255.0

    mWmW/C

    Total Device [email protected] TC= 25CDerate above 25C

    PD1.512

    WmW/C

    Operating and Storage JunctionTemperature Range

    TJ, Tstg 55 to +150 C

    THERMAL CHARACTERISTICS (Note 1)

    Characteristic Symbol Max Unit

    Thermal Resistance, JunctiontoAmbient RJA

    200 C/W

    Thermal Resistance, JunctiontoCase RJC 83.3 C/W

    Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. MaximumRatings are stress ratings only. Functional operation above the RecommendedOperating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above theRecommended Operating Conditions may affect device reliability.1. Indicates Data in addition to JEDEC Requirements.

    *For additional information on our PbFree strategy and soldering details, pleasedownload the ON Semiconductor Soldering and Mounting TechniquesReference Manual, SOLDERRM/D.

    MARKING DIAGRAMS

    http://onsemi.com

    See detailed ordering and shipping information in the package

    dimensions section on page 3of this data sheet.

    ORDERING INFORMATION

    COLLECTOR

    3

    2

    BASE

    1

    EMITTER

    2N390x

    YWW

    x = 3 or 4

    Y = Year

    WW = Work Week

    = PbFree Package

    (Note: Microdot may be in either location)

    1 23

    12

    BENT LEADTAPE & REELAMMO PACK

    STRAIGHT LEADBULK PACK

    3

    TO92

    CASE 29

    STYLE 1

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    61/66

    2N3903, 2N3904

    http://onsemi.com

    2

    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA= 25C unless otherwise noted)

    Characteristic Symbol Min Max Unit

    OFF CHARACTERISTICS

    CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 2)(IC= 1.0 mAdc, IB= 0) V(BR)CEO 40 Vdc

    CollectorBase Breakdown Voltage (IC= 10 Adc, IE= 0) V(BR)CBO 60 Vdc

    EmitterBase Breakdown Voltage (IE= 10 Adc, IC= 0) V(BR)EBO 6.0 Vdc

    Base Cutoff Current (VCE= 30 Vdc, VEB= 3.0 Vdc) IBL

    50 nAdc

    Collector Cutoff Current (VCE= 30 Vdc, VEB= 3.0 Vdc) ICEX 50 nAdc

    ON CHARACTERISTICS

    DC Current Gain (Note 2)(IC= 0.1 mAdc, VCE= 1.0 Vdc) 2N3903

    2N3904(IC= 1.0 mAdc, VCE= 1.0 Vdc) 2N3903

    2N3904(IC= 10 mAdc, VCE= 1.0 Vdc) 2N3903

    2N3904(IC= 50 mAdc, VCE= 1.0 Vdc) 2N3903

    2N3904(IC= 100 mAdc, VCE= 1.0 Vdc) 2N3903

    2N3904

    hFE204035705010030601530

    150300

    Collector

    Emitter Saturation Voltage (Note 2)(IC= 10 mAdc, IB= 1.0 mAdc)(IC= 50 mAdc, IB= 5.0 mAdc

    VCE(sat)

    0.20.3

    Vdc

    BaseEmitter Saturation Voltage (Note 2)(IC= 10 mAdc, IB= 1.0 mAdc)(IC= 50 mAdc, IB= 5.0 mAdc)

    VBE(sat)0.65

    0.850.95

    Vdc

    SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS

    CurrentGain Bandwidth Product(IC= 10 mAdc, VCE= 20 Vdc, f = 100 MHz) 2N3903

    2N3904

    fT250300

    MHz

    Output Capacitance (VCB= 5.0 Vdc, IE= 0, f = 1.0 MHz) Cobo 4.0 pF

    Input Capacitance (VEB= 0.5 Vdc, IC= 0, f = 1.0 MHz) Cibo 8.0 pF

    Input Impedance

    (IC= 1.0 mAdc, VCE= 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 2N39032N3904

    hie

    1.01.0

    8.010

    k

    Voltage Feedback Ratio(IC= 1.0 mAdc, VCE= 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 2N3903

    2N3904

    hre0.10.5

    5.08.0

    X 104

    SmallSignal Current Gain(IC= 1.0 mAdc, VCE= 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 2N3903

    2N3904

    hfe50100

    200400

    Output Admittance (IC= 1.0 mAdc, VCE= 10 Vdc, f = 1.0 kHz) hoe 1.0 40 mhos

    Noise Figure(IC= 100 Adc, VCE= 5.0 Vdc, RS= 1.0 k , f = 1.0 kHz) 2N3903

    2N3904

    NF

    6.05.0

    dB

    SWITCHING CHARACTERISTICS

    Delay Time (VCC= 3.0 Vdc, VBE= 0.5 Vdc,IC= 10 mAdc, IB1= 1.0 mAdc)

    td

    35 ns

    Rise Time tr 35 ns

    Storage Time (VCC= 3.0 Vdc, IC= 10 mAdc, 2N3903IB1= IB2= 1.0 mAdc) 2N3904

    ts

    175200

    ns

    Fall Time tf 50 ns

    2. Pulse Test: Pulse Width300 s; Duty Cycle2%.

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    62/66

    2N3903, 2N3904

    http://onsemi.com

    3

    ORDERING INFORMATION

    Device Package Shipping

    2N3903RLRM TO92 2000 / Ammo Pack

    2N3904 TO92 5000 Units / Bulk

    2N3904G TO92(PbFree)

    5000 Units / Bulk

    2N3904RLRA TO92 2000 / Tape & Reel

    2N3904RLRAG TO92(PbFree)

    2000 / Tape & Reel

    2N3904RLRM TO92 2000 / Ammo Pack

    2N3904RLRMG TO92(PbFree)

    2000 / Ammo Pack

    2N3904RLRP TO92 2000 / Ammo Pack

    2N3904RLRPG TO92(PbFree)

    2000 / Ammo Pack

    2N3904RL1G TO92(PbFree)

    2000 / Tape & Reel

    2N3904ZL1 TO92 2000 / Ammo Pack

    2N3904ZL1G TO

    92(PbFree)

    2000 / Ammo Pack

    For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel PackagingSpecifications Brochure, BRD8011/D.

    Figure 1. Delay and Rise Time Equivalent Test Circuit

    Figure 2. Storage and Fall Time Equivalent Test Circuit

    +3 V

    275

    10 k

    1N916 CS< 4 pF*

    +3 V

    275

    10 k

    CS< 4 pF*< 1 ns- 0.5 V

    +10.9 V300 ns

    DUTY CYCLE = 2%

    < 1 ns- 9.1 V

    +10.9 VDUTY CYCLE = 2%

    t1

    0

    10 < t1< 500 s

    * Total shunt capacitance of test jig and connectors

    * Total shunt capacitance of test jig and connectors

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    63/66

    2N3903, 2N3904

    http://onsemi.com

    4

    TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS

    Figure 3. Capacitance

    REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)

    2.0

    3.0

    5.0

    7.0

    10

    1.00.1

    Figure 4. Charge Data

    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

    5000

    1.0

    VCC= 40 V

    IC/IB= 10

    Q,

    CHARGE(pC)

    3000

    2000

    1000

    500

    300

    200

    700

    100

    50

    70

    2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200

    CAPACITANCE(p

    F)

    1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 400.2 0.3 0.5 0.7

    QT

    QA

    Cibo

    Cobo

    TJ= 25C

    TJ= 125C

    Figure 5. TurnOn Time

    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

    70

    100

    200

    300

    500

    50

    Figure 6. Rise Time

    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

    TIME(ns)

    1.0 2.0 3.0 10 20 705 100

    t,

    RISETIME(ns)

    Figure 7. Storage Time

    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

    Figure 8. Fall Time

    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

    5.0 7.0 30 50 200

    10

    30

    7

    20

    70

    100

    200

    300

    500

    50

    1.0 2.0 3.0 10 20 705 1005.0 7.0 30 50 200

    10

    30

    7

    20

    70

    100

    200

    300

    500

    50

    1.0 2.0 3.0 10 20 705

    1005.0 7.0 30 50 200

    10

    30

    7

    20

    70

    100

    200

    300

    500

    50

    1.0 2.0 3.0 10 20 705

    1005.0 7.0 30 50 200

    10

    30

    7

    20

    r

    t

    ,FALLTIME(ns)

    f

    t,

    STORAGETIME(ns)

    s

    VCC= 40 V

    IC/IB= 10

    VCC= 40 V

    IB1= IB2

    IC/IB= 20

    IC/IB= 10

    IC/IB= 10

    [email protected] VCC= 3.0 V

    [email protected] VOB= 0 V

    40 V

    15 V

    2.0 V

    IC/IB= 10

    IC/IB= 20

    IC/IB= 10IC/IB= 20

    ts= ts-1/8t f

    IB1= IB2

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    64/66

    2N3903, 2N3904

    http://onsemi.com

    5

    TYPICAL AUDIO SMALLSIGNAL CHARACTERISTICSNOISE FIGURE VARIATIONS

    (VCE= 5.0 Vdc, TA= 25C, Bandwidth = 1.0 Hz)

    Figure 9.

    f, FREQUENCY (kHz)

    4

    6

    8

    10

    12

    2

    0.1

    Figure 10.

    RS, SOURCE RESISTANCE (k OHMS)

    0

    NF,

    NOISEFIGURE(dB)

    1.0 2.0 4.0 10 20 400.2 0.40

    100

    4

    6

    8

    10

    12

    2

    14

    0.1 1.0 2.0 4.0 10 20 400.2 0.4 100

    NF,

    NOISEFIGURE(dB)

    f = 1.0 kHzIC= 1.0 mA

    IC= 0.5 mA

    IC

    = 50 A

    IC= 100 A

    SOURCE RESISTANCE = 200

    IC= 1.0 mA

    SOURCE RESISTANCE = 200

    IC= 0.5 mA

    SOURCE RESISTANCE = 500

    IC= 100 A

    SOURCE RESISTANCE = 1.0 k

    IC= 50 A

    Figure 11. Current Gain

    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

    70

    100

    200

    300

    50

    Figure 12. Output Admittance

    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

    h

    ,CURRENTGAIN

    h

    ,OUTPUTADMITTANCE(

    mhos)

    Figure 13. Input Impedance

    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

    Figure 14. Voltage Feedback Ratio

    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

    30

    100

    50

    5

    10

    20

    2.0

    3.0

    5.0

    7.0

    10

    1.0

    0.1 0.2 1.0 2.0 5.00.5

    100.3 0.5 3.0

    0.7

    2.0

    5.0

    10

    20

    1.0

    0.2

    0.5

    oe

    h

    ,VOLTAGEFEE

    DBACKRATIO(

    X10

    )

    re

    h

    ,INPUTIMP

    EDANCE(kOHMS)

    ie

    0.1 0.2 1.0 2.0 5.0 100.3 0.5 3.0

    0.1 0.2 1.0 2.0 5.0 100.3 0.5 3.0

    2

    10.1 0.2 1.0 2.0 5.0 100.3 0.5 3.0

    fe

    -4

    h PARAMETERS(VCE= 10 Vdc, f = 1.0 kHz, TA= 25C)

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    65/66

    2N3903, 2N3904

    http://onsemi.com

    6

    TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS

    Figure 15. DC Current Gain

    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

    0.3

    0.5

    0.7

    1.0

    2.0

    0.2

    0.1

    h

    ,DC

    CURRENTGAIN

    (NORMALIZED)

    0.5 2.0 3.0 10 50 700.2 0.30.1

    1001.00.7 20030205.0 7.0

    FE

    VCE= 1.0 VTJ= +125C

    +25C

    - 55C

    Figure 16. Collector Saturation RegionIB, BASE CURRENT (mA)

    0.4

    0.6

    0.8

    1.0

    0.2

    0.1

    V

    ,COLLECTOR

    EMITTER

    VOLTAGE(V

    OLTS)

    0.5 2.0 3.0 100.2 0.30

    1.00.7 5.0 7.0

    CE

    IC= 1.0 mA

    TJ= 25C

    0.070.050.030.020.01

    10 mA 30 mA 100 mA

    Figure 17. ON Voltages

    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

    0.4

    0.6

    0.8

    1.0

    1.2

    0.2

    Figure 18. Temperature Coefficients

    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

    V,

    VOLTAGE(VOLTS)

    1.0 2.0 5.0 10 20 500

    100

    - 0.5

    0

    0.5

    1.0

    0 60 80 120 140 160 18020 40 100

    COEFFICIENT(mV/C)

    200

    - 1.0

    - 1.5

    - 2.0200

    TJ= 25C

    VBE(sat)@ IC/IB=10

    VCE(sat)@ IC/IB=10

    [email protected] VCE=1.0 V

    +25C TO +125C

    - 55C TO +25C

    +25C TO +125C

    - 55C TO +25C

    VCFOR VCE(sat)

    VBFOR VBE(sat)

  • 7/24/2019 Petunjuk Prak. De

    66/66

    2N3903, 2N3904

    PACKAGE DIMENSIONS

    TO92 (TO226)CASE 2911ISSUE AM

    NOTES:1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

    Y14.5M, 1982.2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R

    IS UNCONTROLLED.4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND

    BEYOND DIMENSION K MINIMUM.

    R

    A

    P

    J

    L

    B

    K

    G

    H

    SECTION XX

    CV

    D

    N

    N

    X X

    SEATINGPLANE DIM MIN MAX MIN MAX

    MILLIMETERSINCHES

    A 0.175 0.205 4.45 5.20

    B 0.170 0.210 4.32 5.33

    C 0.125 0.165 3.18 4.19

    D 0.016 0.021 0.407 0.533

    G 0.045 0.055 1.15 1.39

    H 0.095 0.105 2.42 2.66

    J 0.015 0.020 0.39 0.50

    K 0.500 --- 12.70 ---

    L 0.250 --- 6.35 ---

    N 0.080 0.105 2.04 2.66

    P --- 0.100 --- 2.54

    R 0.115 --- 2.93 ---

    V 0.135 --- 3.43 ---1

    NOTES:1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER

    ASME Y14.5M, 1994.2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND

    DIMENSION R IS UNCONTROLLED.4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P

    AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM .

    RA

    P

    J

    B

    K

    G

    SECTION XX

    CV

    D

    N

    X X

    SEATINGPLANE

    DIM MIN MAX

    MILLIMETERS

    A 4.45 5.20

    B 4.32 5.33

    C 3.18 4.19

    D 0.40 0.54

    G2.40 2.80J 0.39 0.50

    K 12.70 ---

    N 2.04 2.66

    P 1.50 4.00

    R 2.93 ---

    V 3.43 ---

    1

    T

    STRAIGHT LEAD

    BULK PACK

    BENT LEAD

    TAPE & REEL

    AMMO PACK

    STYLE 1:PIN 1. EMITTER

    2. BASE3. COLLECTOR

    ON Semiconductorand are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC owns the rights to a number of patents, trademarks,copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of SCILLCs product/patent coverage may be accessed at www.onsemi.com/site/pdf/Patent Marking.pdf. SCILLCreserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitabili ty of its products for any

    particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including withoutlimitation special, consequential or incidental damages. Typical parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applicationsand actual performance may vary over time. All operating parameters, including Typicals must be validated for each customer application by customers technical experts. SCILLCdoes not convey any license under its patent rights nor the rights of others SCILLC products are not designed intended or authorized for use as components in systems intended for

    h
Embed Size (px)
Recommended