-
10. Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi Lainnya {bagian ini masih
belum sempurna dan secara serabutan diambil dari berbagai
sumber}
10.1. Tinjauan Umum Teknik-teknik yang menggunakan Sinar-x
10.2. Analisis Kualitatif dan Kuantitatif dengan Fluoresensi
Sinar-X 10.3. ESCA/XPS dan Auger Spectroscopy 10.4. EXAFS 10.5.
Difraksi Elektron {belum} 10.6. Hamburan dan Difraksi Netron
{belum} 10.1. Tinjauan Umum Teknik-teknik yang menggunakan Sinar-x:
Pemanfaatan Sinar-x untuk Analisis Material
Pemanfaatan teknik sinar-x untuk identifikasi material sudah
lama dilakukan, Moseley memanfaatkan emisi sinar-x untuk analisis
kimia pada tahun 1913. Saat ini sudah banyak peralatan-peralatan
fluoresensi sinar-x (XRF: X-ray Fluorescence) modern yang dapat
digunakan untuk analisis komposisi dan elemen secara kualitatif dan
kuantitatif. Kelebihan analisis dengan sinar-x ini, biasanya tidak
diperlukan sample yang besar dan sifat uji ini non-destruktif,
serta analisis ini jauh lebih cepat dibandingkan dengan analisis
kimia basah. XRF dapat dimanfaatkan untuk analisis alloy, mineral,
semen, mineral, geomaterial dan hasil produksi petrolium. Sinar-x
dapat diproduksi dengan tabung sinar-x dan radiasi synchrotron.
Pada tabung sinar-x, elektron dipercepat dalam vacuum dengan beda
potensial sangat tinggi (sampai 70 kvolt) dan menabrak target
(misal Cu), akibat perlambatan ini sinar-x dapat dipancarkan. Pada
radiasi synchrotron, elektron bergerak melingkar (akibat medan
magnet) dengan kecepatan mendekati kecepatan cahaya, radiasi
tangensial dari elektron ini menghasilkan sinar-x dengan intensitas
sangat tinggi. Peralatan analitis yang menggunakan sinar-x
sebenarnya cukup banyak beragam, diantaranya dapat disebutkan:
spektroskopi emisi sinar-x (XES), spektroskopi emisi Auger (AES),
fluoresensi sinar-x (topik bahasan makalah ini), spektroskopi
elektron untuk analisis kimia (ESCA: Electron Spectroscopy for
Chemical Analysis), absorpsi sinar-x dan difraksi sinar-x.
Ilustrasi proses peralatan-peralatan ini dapat dilihat di gambar 1
sampai 6. Pada XES, berkas elektron mengenai sample dan mementalkan
elektron yang paling dalam, sinar-x sekunder dipancarkan ketika
elektron dari level luar turun ke keadaan dasar. Panjang gelombang
sinar-x yang keluar merupakan karakteristik sample dan
intensitasnya tergantung dari atom yang tereksitasi sehingga alat
ini dapat digunakan untuk mengukuran kualitatif dan kuantitatif.
Pada AES, berkas sinar-x mengenai sample dan mementalkan elektron
yang paling dalam, ketika elektron jatuh ke level lebih dalam tanpa
radiasi, maka sisa energi yang ada digunakan untuk mengeluarkan
elektron pada level lebih tinggi. AES digunakan terutama untuk
penelitian permukaan. ESCA mempunyai prinsip dasar serupa dengan
AES, perbedaan yang ada pada ESCA elektron yang diukur langsung
berasal dari pentalan sinar-x (Gbr. 4).
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 130
-
Prinsip dasar XRF, berkas sinar-x mengenai sebuah sample,
elektron dalam akan terpental keluar sehingga elektron di atasnya
akan turun ke bawah, proses terakhir ini akan meradiasi sinar-x.
Jelas terlihat disini bahwa panjang gelombang sinar-x yang keluar
dari sample tergantung dari jenis sample dan intensitasnya
tergantung dari konsentrasi atom yang mengeluarkan sinar-x,
sehingga teknik ini dapat digunakan untuk analisis jenis material
(kualitatif) dan konsentrasi material (kuantitatif). Pada absorpsi
sinar-x, intensitas awal dan akhir dibandingkan sehingga koefisien
absorpsi material dapat diketahui, sehingga karakteristik bahan
dapat diuraikan. Disamping analisis kimia, absorpsi sinar-x (dengan
soft x-ray) mempunyai penggunakan pada bidang medis. Difraksi
sinar-x (XRD) dapat dimanfaatkan untuk meneliti struktur kristal,
dalam hal ini berkas-berkas sinar-x dipantulkan oleh bidang-bidang
kristal sehingga membentuk pola-pola difraksi.
Gbr.1: XES (X-ray Emission Spectroscopy)
h e- e-
----------------------------------------
________________________________________
________________________________________
Transfer Energi ________________________________________
________________________________________
Gbr. 2: AES (Auger Emission Spectroscopy)
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 131
-
e- h h
----------------------------------------
________________________________________
h
________________________________________
________________________________________
Gbr. 3: XRF (X-ray Fluorescence Spectroscopy)
e- e-
Gbr. 4: ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 132
-
Gbr. 5: X-ray Absorption
________________________________________
________________________________________
________________________________________
________________________________________
________________________________________
________________________________________
________________________________________
Gbr. 6: XRD (X-ray Diffraction)
10.2. Analisis Kualitatif dan Kuantitatif dengan Fluoresensi
Sinar-X 10.2.1. Prinsip Dasar Sinar-X Fluoresensi Sesuai dengan
gambar 3 dan keterangan di pendahuluan, prinsip dasar dari XRF
adalah sinar-x primer diarahkan pada sample dan kemudian sinar-x
sekunder (yakni fluoresensi) dianalisis dengan kristal analisator
dan kemudian masuk ke detektor. Kristal analisator ini berputar
sampai sudutnya sesuai dengan kondisi Bragg sehingga sinar-x akan
didifraksi, dengan demikian panjang gelombang fluoresensi sinar-x
dapat dideteksi. Atom-atom mempunyai level-level energi
karakteristik yang berbeda-beda. Perbedaan inilah yang menjadikan
panjang gelombang sinar-x fluoresensi berbeda-beda tergantung jenis
elemen, dengan demikian radiasi fluoresensi dapat dimanfaatkan
untuk identifikasi unsur secara kualitatif. Dapat pula kita pahami
bahwa intensitas fluoresensi sinar-x tergantung pada konsentrasi
elemen, sehingga pengetahuan besar intensitas dapat
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 133
-
dikaitkan untuk analisis kuantitatif. Namun hubungan antara
intensitas dan konsentrasi bukan merupakan hubungan yang sederhana
(bukan hubungan linier). Radiasi fluoresensi emisi dari sample
seharusnya mempunyai intensitas setinggi-tingginya supaya
pengukuran menjadi tepat pada waktu yang singkat. Intensitas yang
berasal dari sample tergantung dari panjang gelombang dan
intensitas awal dari tabung sinar-x. 10.2.2. Spektrometer
Fluoresensi Sinar-X Diagram spektroskopi fluoresensi sinar-x untuk
tabung sinar-x, sample dan sistem deteksi ada pada gambar 7,
kristal analisator yang digunakan disini berupa kristal datar.
Sample diletakkan pada sample holder (seringkali diputar untuk
menambah keseragaman bagian yang terkena exposure) diradiasi dengan
sinar-x yang mengakibatkan elemen yang ada pada sample menghasilkan
garis-garis fluoresensi. Sinar ini masuk ke dalam sebuah goneometer
dan diarahkan ke kristal analisator. Garis radiasi fluoresensi
direfleksi oleh bidang kristal, sesuai dengan hukum Bragg,
diteruskan ke sebuah detektor, disini kuanta energi sinar-x diubah
menjadi pulsa listrik atau cacah. Sample Detektor Tabung Sinar-X
Crystal Analyzer Gbr. 7: Skema alat Fluoresensi Sinar-x dengan
kristal datar Terkadang intensitas fluoresensi sinar-x tidak begitu
tinggi, sehingga diperlukan kristal analisator lengkung yang
sekaligus dapat menganalisis (dengan kondisi difraksi yang sesuai)
dan memfokuskan sinar-x. 10.2.3. Aplikasi Analitis 10.2.3.1.
Analitis Kualitatif Kerja kualitatif dapat diperoleh secara akurat
dengan scanning secara otomatis pada seluruh spektrum. Hampir semua
peralatan XRF modern mempunyai kemampunan
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 134
-
scanning secara otomatis. Pencatatan dilakukan pada sebuah chart
recorder atau pada suatu tampilan di layar komputer. Interpretasi
dari spektrum yang tercatat dapat mudah dilakukan dengan
membandingkan hasil eksperimen dan tabel panjang gelombang atau
energi (atau 2 bila digunakan kristal analisator).
Contoh Hasil Spektrum XRF untuk Pb
Proses interpretasi ini dapat dilakukan secara manual atau
secara otomatis. Mesin-mesin XRF modern hampir semua dilengkapi
dengan komputer yang dapat langsung memberi hasil identifikasi
unsur secara otomatis karena data-data panjang gelombang (atau
energi atau dalam bentuk 2) sudah tersimpan dalam memori komputer.
Biasanya tidak ada masalah yang berarti pada analisis kualitatif
dengan XRF. Namun ada beberapa hal yang musti diperhatikan: 1.
Puncak-puncak intensitas terkadang bertumpuk-tumpuk (berimpit)
antara unsur yang
berlainan, sehingga satu puncak dapat diartikan berasal dari
berbagai unsur. Salah interpretasi ini dapat dihindari dengan
melihat puncak fluorensi yang lain untuk unsur
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 135
-
yang sama (misal dilihat emisi L apabila K berimpit) atau dengan
menggunakan kristal analisator yang lain. Garis puncak yang
diamati2. dapat berasal sample atau target dari tabung sinar-x,
oleh
3. ksi dengan XRF, namun beberapa peralatan
0.2.3.2. Analisis Kuantitatif
ila tidak ada efek-efek lain, maka intensitas fluoresensi yang
berasal dari atom
Gbr. 8: Efek konsentrasi besi pada puran.
Sifat-sifat ini karena dua hal utama:
si ganda).
Faktor matrik dapat dipandang merupakan ketergantungan
intensitas terhadap e ie
karena itu sebelum pengamatan dimulai, harus dilakukan percobaan
untuk melihat unsur-unsur yang ada pada target sinar-x. Unsur-unsur
ringan biasanya susah dideteXRF modern (seperti Phillips HW 2400)
mampu mendeteksi karbon.
1 ApabA akan berbanding lurus dengan fraksi atomik elemen A,
sehingga proporsional dengan konsentrasinya. Efek-efek lain yang
berperan pada proses fluorensi benar-benar ada, efek ini tidak
begitu trivial dan intensitas fluoresensi dapat berbeda jauh dengan
harga proporsional konsentrasi atom. Contoh keadaan ini pada gambar
8 untuk tiga campuran biner dari besi. Pada kurva tersebut terlihat
bahwa intensitas fluoresensi dari satu elemen tergantung pada
elemen lain. I Konsentrasi
intensitas untuk berbagai cam
a) Absorpsi Matrik. b) Pengkayaan (eksita ko fis n absorpsi.
Kalau komposisi sampel berubah maka koefisien absorpsi sampel juga
berubah, sebagai akibatnya ada perubahan absorpsi pada radiasi
primer pada sample dan pada radiasi fluoresensi yang keluar. Jelas
terlihat pada hubungan intensitas dan konsentrasi tidak linier.
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 136
-
Pengkayaan (eksitasi ganda) terjadi karena fluoresensi sinar-x
yang terjadi di dalam sample ada kemungkinan untuk menjadi sumber
baru di dalamnya dan mengakibatkan fluoresensi sinar-x lagi.
Efek-efek ini menyulitkan perhitungan intensitas secara teoritis,
oleh karena itu analisis kuantitatif dilakukan berdasarkan data
empiris, yaitu dengan menggunakan sample-sample standar yang sudah
diketahui komposisinya. Sample-sample ini tidak perlu mencakup
jangkauan 0-100%, tetapi hanya beberapa jangkauan terbatas, karena
penggunaan utama XRF adalah untuk kerja kontrol, disini
sample-sample yang kurang lebih mempunyai komposisi sama diamati
untuk mengetahui apakah komposisinya berada pada daerah kriteria
yang dianggap memadai. Ada tiga metode dalam analisis kuantitatif:
1. Metode Kurva Kalibrasi Apabila hanya elemen tunggal yang akan
ditentukan dan jangkauan konsentrasinya sangat sempit, maka
komposisi matriks dianggap tetap sehinggi efek absorpsi matrik dan
pengkayaan dapat dianggap konstan. Problem analitik berubah menjadi
penyiapan kurva kalibrasi tunggal yang seringkali linear. 2. Metode
Koefisien Empiris Metode ini paling luas penggunaannya, diperlukan
pada material seperti alloy dan semen, disini lima atau lebih
elemen harus ditentukan dan konsentrasi tiap elemen dapat
bervariasi pada jangkauan yang luas. Metode grafik sudah tidak
mungkin dilakukan disini karena sebuah kurva kalibrasi tidaklah
cukup. Sebagai gantinya, pendekatan analitik harus dilakukan. Suatu
kumpulan persamaan simultan ditulis meliputi intensitas terukur,
konsentrasi dan koefisien empiris dari sample-sample standard.
Untuk keperluan ini, sebuah komputer mutlak diperlukan. 3. Metode
Parameter Fundamental Pada metode ini intensitas fluoresensi
dihitung berdasarkan prinsip-prinsip teori Fisika. Informasi yang
diperlukan: distribusi spektral dari sumber sinar-x primer,
koefisien absorpsi massa untuk semua elemen yang diamati dan faktor
fluoresensi untuk semua elemen. Keuntungan metode ini, hanya
standar murni yang diperlukan, tetapi kerugiannya diperlukan
komputer besar untuk analisis. Telah kita lihat bahwa XRF merupakan
teknis analitis untuk mengetahui jenis unsur kimia dan untuk
mendapatkan prosentase konsentrasi sebuah elemen dalam material.
Keunggulan analisis ini adalah sample yang diperlukan tidak begitu
besar dan sifat analisisnya tidak desktruktif (sample masih utuh
setelah eksperimen) serta waktu yang diperlukan sangat singkat.
Dengan peralatan spektroskopi XRF modern, analisis ini dapat
dilakukan dalam beberapa menit. Meskipun spektroskopi ini banyak
dipakai untuk "major element" yaitu Na, Mg, Al, Si, P, K, Ca, Ti,
Mn dan Fe, tetapi juga dapat dimanfaatkan untuk penelitian "trace
element" seperti Sc, V, Cr, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, As, Se, Br, Rb, Sr,
Y dll.
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 137
-
Latihan: 1. Pada percobaan dengan XRF didapatkan puncak-puncak
pada sudut-sudut 2 =
45,03; 62,97 dan 69,35 dengan kristal analisator LiF yang
mempunyai d (200) = 4,0267 A.
Identifikasi unsur-unsur ini! Diketahui energi transisi untuk
(K): Kalsium : 1,8480 KeV Chrom : 2,7112 KeV Mangan : 2,9533 KeV
Besi : 3,2058 KeV Cobalt : 3,4689 KeV Nickel : 3,7431 KeV Seng :
4,0237 KeV h = 6,62510-34 Js ; c = 3108 m/s 2. Pada percobaan untuk
menentukan konsentrasi Ni pada campuran Ni-Cr, dibuat
kurva kalibrasi Ni-Cr. Lihat tabel di atas (soal nomor 2),
tentukan posisi 2 (intensitas maksimum) untuk kedua zat ini.
Apabila perbandingan intensitas untuk konsentrasi Ni: 10%, 15% dan
20% masing-masing 0,8 ; 0,6 dan 0, 5; perkirakan perbandingan
intensitas pada konsentrasi Ni 25%!
10.3. ESCA/XPS dan Auger Spectroscopy
Prinsip Kerja ESCA/XPS Analisis Kimia Auger Spectroscopy
10.3.1. Pengertian ESCA/XPS dan AES
(Sumber: internet)
What is XPS?
X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) or Electron Spectroscopy
for Chemical Analysis (ESCA)
XPS, also known as ESCA, is the most widely used surface
analysis technique because of its relative simplicity in use and
data interpretation. The sample is irradiated with mono-energetic
x-rays causing photoelectrons to be emitted from the sample
surface. An electron energy analyzer determines the binding energy
of the photoelectrons. From the binding energy and intensity of a
photoelectron peak, the elemental identity, chemical state, and
quantity of an element are determined. The information XPS provides
about surface layers or thin film structures is of value in many
industrial applications including: polymer surface modification,
catalysis, corrosion, adhesion, semiconductor and dielectric
materials, electronics packaging, magnetic media,
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 138
- and thin film coatings used in a number of industries. Specific
applications include: surface elemental and chemical
characterization, thin film (
-
The Auger effect is named for its discoverer, Pierre Auger, who
observed radiationless relaxation of excited ions in a cloud
chamber, during the 1920s. Auger electrons are emitted at discrete
energies that allow the atom of origin to be identified. The Auger
process involves three steps:
1. Excitation of the atom causing emission of an electron 2. An
electron drops down to fill the vacancy created in step 1 3. The
energy released in step 2 causes the emission of an Auger
electron.
10.3.2. Prinsip Kerja ESCA/XPS ESCA/XPS berkaitan dengan
pengukuran energi ikat core-electron. Sinar-x energi tinggi Atom,
molekul emisi atom dari level terdalam Semua elektron yang memiliki
energi lebih kecil dari energi sinar-x akan terlempar keluar.
e- e-
Energi kinetik fotoeletron, Ek, dapat diukur dengan analyzer
energi:
Eb = hf - Ek - hf = energi radiasi (sinar-x) = fungsi kerja
spektrometer (yang konstan untuk setiap spektrometer) Energi ikat,
Eb spesifik atom Meskipun x-ray dapat menembus sampai ratusan
nanometer, namun hanya elektron di lapisan luar yang mampu lepas
dari lingkungan material dan akhirnya terukur. Informasi dari ESCA
yang berguna berasal dari sekitar 2 nanometer dari permukaan.
Sample yang diperlukan: satu mikrogram atau bahkan kurang, luas
area 1 cm2. Dapat mendeteksi Carbon, Nitrogen dan Oksigen, sehingga
alat ini sangat banyak berguna.
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 140
-
XX--rraayy BBeeaamm
XX--rraayy ppeenneettrraattiioonn ddeepptthh ~~11mm..
EElleeccttrroonnss ccaann bbee eexxcciitteedd iinn tthhiiss
eennttiirree vvoolluummee..
XX--rraayy eexxcciittaattiioonn aarreeaa ~~11xx11 ccmm22..
EElleeccttrroonnss aarree eemmiitttteedd ffrroomm tthhiiss
eennttiirree aarreeaa
EElleeccttrroonnss aarree eexxttrraacctteedd oonnllyy ffrroomm
aa nnaarrrrooww ssoolliidd aannggllee..
11 mmmm22
1100 nnmm
Proses ESCA/XPS
XPS spectral lines are XPS spectral lines are identified by the
shell identified by the shell from which the electron from which
the electron was ejected (1s, 2s, 2p, was ejected (1s, 2s, 2p,
etc.).etc.).
The ejected The ejected photoelectron has photoelectron has
kinetic energy:kinetic energy:
KE=KE=hvhv--BEBE-- Following this process, the Following this
process, the
atom will release energy atom will release energy by the
emission of an by the emission of an Auger Electron.Auger
Electron.
Conduction BandConduction Band
Valence BandValence Band
L2,L3L2,L3
L1L1
KK
FermiFermiLevelLevel
Free Free Electron Electron LevelLevel
Incident XIncident X--rayrayEjected PhotoelectronEjected
Photoelectron
1s1s
2s2s
2p2p
XPS spectral lines are XPS spectral lines are identified by the
shell identified by the shell from which the electron from which
the electron was ejected (1s, 2s, 2p, was ejected (1s, 2s, 2p,
etc.).etc.).
The ejected The ejected photoelectron has photoelectron has
kinetic energy:kinetic energy:
KE=KE=hvhv--BEBE-- Following this process, the Following this
process, the
atom will release energy atom will release energy by the
emission of an by the emission of an Auger Electron.Auger
Electron.
Conduction BandConduction Band
Valence BandValence Band
L2,L3L2,L3
L1L1
KK
FermiFermiLevelLevel
Free Free Electron Electron LevelLevel
Incident XIncident X--rayrayEjected PhotoelectronEjected
Photoelectron
1s1s
2s2s
2p2p
Photoelectron line energies: Not Dependent on photon energy.
Auger electron line energies: Dependent on photon energy. The
binding energy scale was derived to make uniform comparisons of
chemical states straight forward. Sample/Spectrometer Energy Level
Diagram- Conducting Sample
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 141
-
hv
EE1s1s
SampleSample SpectrometerSpectrometer
ee--
Fermi Level, Fermi Level, EEff
Vacuum Level, Vacuum Level, EEvv sample
KE(1s) KE(1s)
spec
BE(1s)
hv
EE1s1s
SampleSample SpectrometerSpectrometer
ee--
Fermi Level, Fermi Level, EEff
Vacuum Level, Vacuum Level, EEvv sample
KE(1s) KE(1s)
spec
BE(1s)
Because the Fermi levels of the sample and spectrometer are
aligned, we only need to know the spectrometer work function, spec,
to calculate BE(1s). Sample/Spectrometer Energy Level Diagram-
Insulating Sample
hv
EE1s1s
SampleSample SpectrometerSpectrometer
ee--
Free Electron EnergyFree Electron Energy
BE(1s)
Fermi Level, Fermi Level, EEff
Vacuum Level, Vacuum Level, EEvv
KE(1s)
specEchhv
EE1s1s
SampleSample SpectrometerSpectrometer
ee--
Free Electron EnergyFree Electron Energy
BE(1s)
Fermi Level, Fermi Level, EEff
Vacuum Level, Vacuum Level, EEvv
KE(1s)
specEch
A relative build-up of electrons at the spectrometer raises the
Fermi level of the spectrometer relative to the sample. A potential
Ech will develop. 10.3.3. Analisis Kimia dengan ESCA/XPS Binding
Energy Referencing BE = hv - KE - spec- Ech
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 142
-
Where: BE= Electron Binding Energy
KE= Electron Kinetic Energy spec= Spectrometer Work Function
Ech= Surface Charge Energy Ech can be determined by electrically
calibrating the instrument to a spectral feature. Contoh nilai
energi ikat: C1s at 285.0 eV Au4f7/2 at 84.0 eV Where do Binding
Energy Shifts Come From? -or How Can We Identify Elements and
Compounds?
ElectronElectron--electron electron repulsionrepulsion
ElectronElectron--nucleus nucleus attractionattraction
ElectronElectron
NucleusNucleus
BindingBindingEnergyEnergy
Pure ElementPure Element
ElectronElectron--Nucleus Nucleus SeparationSeparation
Fermi LevelFermi Level
Look for changes here Look for changes here by observing
electron by observing electron binding energiesbinding energies
ElectronElectron--electron electron repulsionrepulsion
ElectronElectron--nucleus nucleus attractionattraction
ElectronElectron
NucleusNucleus
BindingBindingEnergyEnergy
Pure ElementPure Element
ElectronElectron--Nucleus Nucleus SeparationSeparation
Fermi LevelFermi Level
Look for changes here Look for changes here by observing
electron by observing electron binding energiesbinding energies
Elemental Shifts
Binding Energy (eV)
Element 2p3/2 3p Fe 707 53 654 Co 778 60 718 Ni 853 67 786 Cu
933 75 858 Zn 1022 89 933
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 143
-
Electron-nucleus attraction helps us identify the elements
Elemental Shifts
Binding Energy Determination The photoelectrons binding energy
will be based on the elements final-state configuration.
Conduction BandConduction Band
Valence BandValence Band
FermiFermiLevelLevel
Free Free ElectonElectonLevelLevel Conduction BandConduction
Band
Valence BandValence Band
1s1s
2s2s
2p2p
Initial StateInitial State Final StateFinal State
Conduction BandConduction Band
Valence BandValence Band
FermiFermiLevelLevel
Free Free ElectonElectonLevelLevel Conduction BandConduction
Band
Valence BandValence Band
1s1s
2s2s
2p2p
Initial StateInitial State Final StateFinal State
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 144
-
The Sudden Approximation Assumes the remaining orbitals (often
called the passive orbitals) are the same in the final state as
they were in the initial state (also called the frozen-orbital
approximation). Under this assumption, the XPS experiment measures
the negative Hartree-Fock orbital energy: Koopmans Binding
Energy
EB,K -B,K Actual binding energy will represent the readjustment
of the N-1 charges to minimize energy (relaxation):
EB = EfN-1 - EiN Binding Energy Shifts (Chemical Shifts)
Point Charge Model:Point Charge Model:
EEii = E= Eii00 + + kqkqii + + qqii/r/rijijEEBB in atom i in
given in atom i in given referncerefernce state state
Weighted charge of iWeighted charge of i Potential at i due to
Potential at i due to surrounding charges surrounding charges
Chemical Shifts- Electronegativity Effects CarbonCarbon--Oxygen
BondOxygen Bond
Valence LevelValence LevelC 2pC 2p
Core LevelCore LevelC 1sC 1s
Carbon NucleusCarbon Nucleus
Oxygen AtomOxygen Atom
C 1s C 1s BindingBindingEnergyEnergy
ElectronElectron--oxygen oxygen atom attractionatom
attraction(Oxygen Electro(Oxygen
Electro--negativity)negativity)
ElectronElectron--nucleus nucleus attraction (Loss of attraction
(Loss of Electronic Screening)Electronic Screening)
Shift to higher Shift to higher binding energybinding energy
CarbonCarbon--Oxygen BondOxygen Bond
Valence LevelValence LevelC 2pC 2p
Core LevelCore LevelC 1sC 1s
Carbon NucleusCarbon Nucleus
Oxygen AtomOxygen Atom
C 1s C 1s BindingBindingEnergyEnergy
ElectronElectron--oxygen oxygen atom attractionatom
attraction(Oxygen Electro(Oxygen
Electro--negativity)negativity)
ElectronElectron--nucleus nucleus attraction (Loss of attraction
(Loss of Electronic Screening)Electronic Screening)
Shift to higher Shift to higher binding energybinding energy
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 145
-
Chemical Shifts- Electronegativity Effects
Functional Group
Binding Energy (eV)
hydrocarbon C-H, C-C 285.0
amine C-N 286.0
alcohol, ether C-O-H, C-O-C 286.5
Cl bound to C C-Cl 286.5
F bound to C C-F 287.8
carbonyl C=O 288.0
Electronic Effects: Spin-Orbit Coupling
284 280 276288290Binding Energy (eV)
C 1s
Orbital=s
l=0 s=+/-1/2 ls=1/2
Electronic Effects: Spin-Orbit Coupling
965 955 945 935 925
19.8
Binding Energy (eV)
Cu 2p
2p1/2
2p3/2
Peak Area 1 : 2
Orbital=p l=1
ls=1/2,3/2
s=+/-1/2
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 146
-
Electronic Effects: Spin-Orbit Coupling
370374378 366 362
6.0
Binding Energy (eV)
Peak Area 2 : 3
Ag 3d3d3/2
3d5/2
Orbital=d
ls=3/2,5/2
l=2 s=+/-1/2
Electronic Effects: Spin-OrbitCoupling
3.65
8791 83 79Binding Energy (eV)
Peak Area 3 : 4
Au 4f4f5/2
4f7/2
Orbital=f l=3 s=+/-1/2 ls=5/2,7/2
Electronic Effects- Spin-Orbit Coupling
Ti MetalTi Metal Ti OxideTi OxideTi MetalTi Metal Ti OxideTi
Oxide
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 147
-
10.3.4. Prinsip Kerja Spektroskopi Emisi Auger (AES)
AES mengukur elektron teremisi dari permukaan yang disebabkan
oleh penyinaran elektron.
transfer energi
e-e-hf
Prinsip dasar: Sinar-x primer akan mementalkan elektron pada
level terdalam, ketika elektron terjatuh pada kulit kosong dengan
proses non-radiatif, sisa energi akan digunakan untuk mengejeksi
elektron pada level lebih luar. Penjelasan lanjut:
L electron falls to fill core level L electron falls to fill
core level vacancy (step 1).vacancy (step 1).
KLL Auger electron emitted to KLL Auger electron emitted to
conserve energy released in conserve energy released in step 1.step
1.
The kinetic energy of the The kinetic energy of the emitted
Auger electron is: emitted Auger electron is:
KE=E(K)KE=E(K)--E(L2)E(L2)--E(L3).E(L3).
Conduction BandConduction Band
Valence BandValence Band
L2,L3L2,L3
L1L1
KK
FermiFermiLevelLevel
Free Free Electron Electron LevelLevel
Emitted Auger ElectronEmitted Auger Electron
1s1s
2s2s
2p2p
L electron falls to fill core level L electron falls to fill
core level vacancy (step 1).vacancy (step 1).
KLL Auger electron emitted to KLL Auger electron emitted to
conserve energy released in conserve energy released in step 1.step
1.
The kinetic energy of the The kinetic energy of the emitted
Auger electron is: emitted Auger electron is:
KE=E(K)KE=E(K)--E(L2)E(L2)--E(L3).E(L3).
Conduction BandConduction Band
Valence BandValence Band
L2,L3L2,L3
L1L1
KK
FermiFermiLevelLevel
Free Free Electron Electron LevelLevel
Emitted Auger ElectronEmitted Auger Electron
1s1s
2s2s
2p2p
Langkah pertama adalah ionisasi level atomik dalam. Setelah atom
terionisasi, atom ini harus relaksasi dengan mengemisi suatu foton
(sinar-x) atau sebuah elektron (proses Auger non-radiatif). Dalam
banyak hal, alam memilih peristiwa Auger dibandingkan peristiwa
lainnya. Secara rigorous sebenarnya probabilitas ini dapat dihitung
dengan Mekanika Kuantum. Contoh transisi Auger KLL berarti: *
elektron pada level K mengalami ionisasi inisial
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 148
-
* elektron pada level L bergerak ke K untuk memenuhi kekosongan
pada saat yang sama memberikan energi pada elektron lain di level L
menjadi elektron Auger yang terejeksi.
Elektron Auger yang lain dapat berasal dari LMM atau MNN.
Spektroskopi Auger biasanya digunakan untuk analisis permukaan,
spektroskopi ini cukup sensitif untuk elemen-elemen ringan (Z
-
IIx 0ln=
Absorption
Photon Energy Absorption coefficient () vs. incident photon
energy The photoelectric absorption decreases with increasing
energy Jumps correspond to excitation of core electrons oscillation
of the X-ray absorption coefficient near and edge local (
-
Excitation of a photoelectron with wavenumber k = 2/
R
Oscillations, i(k): final state interference between outgoing
and backscattered photoelectron
)2sin()()( iii kRkAk = Ri - distance to shell-i Ai(k) -
backscattering amp What it tells us?
Provides local (~10 ) structural parameters Nearest Neighbors
(coordination numbers) Bond distances
Chemical data can be probed by X-ray Near Edge Spectroscopy
(XANES)
Oxidation state Density of states
M. Hikam, Kristalografi: Teknik-teknik Sinar-X dan Difraksi
Lainnya 151