Ukuran nanopartikel silika yang dihasilkan dilakukan analisa menggunakan SEM, TEM, XRD,FITR, dan 1H-NMR. 1. Scanning Electron Microscopy (SEM) Scanning Electron Microscope (SEM) adalah sebuah mikroskop elektron yang didesain untuk menyelidiki permukaan dari objek solid secara langsung. SEM memiliki perbesaran 10 – 3000000x, depth of field 4 – 0.4 mm dan resolusi sebesar 1 – 10 nm. Kombinasi dari perbesaran yang tinggi, depth of field yang besar, resolusi yang baik, kemampuan untuk mengetahui komposisi dan informasi kristalografi membuat SEM banyak digunakan untuk keperluan penelitian dan industri. Adapun fungsi utama dari SEM antara lain dapat digunakan untuk mengetahui informasi- informasi mengenai: - Topografi, yaitu ciri-ciri permukaan dan teksturnya (kekerasan, sifat memantulkan cahaya, dan sebagainya).
This document is posted to help you gain knowledge. Please leave a comment to let me know what you think about it! Share it to your friends and learn new things together.
Transcript
Ukuran nanopartikel silika yang dihasilkan dilakukan analisa menggunakan SEM, TEM, XRD,FITR, dan 1H-NMR.
1. Scanning Electron Microscopy (SEM)
Scanning Electron Microscope (SEM) adalah sebuah mikroskop elektron yang didesain untuk menyelidiki permukaan dari objek solid secara langsung. SEM memiliki perbesaran 10 – 3000000x, depth of field 4 – 0.4 mm dan resolusi sebesar 1 – 10 nm. Kombinasi dari perbesaran yang tinggi, depth of field yang besar, resolusi yang baik, kemampuan untuk mengetahui komposisi dan informasi kristalografi membuat SEM banyak digunakan untuk keperluan penelitian dan industri. Adapun fungsi utama dari SEM antara lain dapat digunakan untuk mengetahui informasi-informasi mengenai:
- Topografi, yaitu ciri-ciri permukaan dan teksturnya (kekerasan, sifat memantulkan cahaya, dan sebagainya).
- Morfologi, yaitu bentuk dan ukuran dari partikel penyusun objek (kekuatan, cacat pada Integrated Circuit (IC) dan chip, dan sebagainya).
- Komposisi, yaitu data kuantitatif unsur dan senyawa yang terkandung di dalam objek (titik lebur, kereaktifan, kekerasan, dan sebagainya).
- Informasi kristalografi, yaitu informasi mengenai bagaimana susunan dari butir-butir di dalam objek yang diamati (konduktifitas, sifat elektrik, kekuatan, dan sebagainya).
Elektron memiliki resolusi yang lebih tinggi daripada cahaya. Cahaya hanya mampu mencapai 200nm sedangkan elektron bisa mencapai resolusi sampai 0,1 – 0,2 nm. Dibawah ini diberikan perbandingan hasil gambar mikroskop cahaya dengan elektron.
Disamping itu dengan menggunakan elektron kita juga bisa mendapatkan beberapa jenis pantulan yang berguna untuk keperluan karakterisasi. Jika elektron mengenai suatu benda maka akan timbul dua jenis pantulan yaitu pantulan elastis dan pantulan non elastis seperti pada gambar dibawah ini.
Pada sebuah mikroskop elektron (SEM) terdapat beberapa peralatan utama antara lain:
1. Pistol elektron, biasanya berupa filamen yang terbuat dari unsur yang mudah melepas elektron misal tungsten.2. Lensa untuk elektron, berupa lensa magnetis karena elektron yang bermuatan negatif dapat dibelokkan oleh medan magnet.3. Sistem vakum, karena elektron sangat kecil dan ringan maka jika ada molekul udara yang
lain elektron yang berjalan menuju sasaran akan terpencar oleh tumbukan sebelum mengenai sasaran sehingga menghilangkan molekul udara menjadi sangat penting.
Prinsip kerja dari SEM adalah sebagai berikut:
1. Sebuah pistol elektron memproduksi sinar elektron dan dipercepat dengan anoda.2. Lensa magnetik memfokuskan elektron menuju ke sampel.3. Sinar elektron yang terfokus memindai (scan) keseluruhan sampel dengan diarahkan oleh koil pemindai.4. Ketika elektron mengenai sampel maka sampel akan mengeluarkan elektron baru yang akan diterima oleh detektor dan dikirim ke monitor (CRT).Secara lengkap skema SEM dijelaskan oleh gambar dibawah ini:
(sumber:iastate.edu)
Ada beberapa sinyal yang penting yang dihasilkan oleh SEM. Dari pantulan inelastis didapatkan sinyal elektron sekunder dan karakteristik sinar X sedangkan dari pantulan elastis didapatkan sinyal backscattered electron. Sinyal -sinyal tersebut dijelaskan pada gambar dibawah ini.
Perbedaan gambar dari sinyal elektron sekunder dengan backscattered adalah sebagai berikut: elektron sekunder menghasilkan topografi dari benda yang dianalisa, permukaan yang tinggi berwarna lebih cerah dari permukaan rendah. Sedangkan backscattered elektron memberikan perbedaan berat molekul dari atom – atom yang menyusun permukaan, atom dengan berat molekul tinggi akan berwarna lebih cerah daripada atom dengan berat molekul rendah. Contoh perbandingan gambar dari kedua sinyal ini disajikan pada gambar dibawah ini.
Mekanisme kontras dari elektron sekunder dijelaskan dengan gambar dibawah ini. Permukaan yang tinggi akan lebih banyak melepaskan elektron dan menghasilkan gambar yang lebih cerah dibandingkan permukaan yang rendah atau datar.
Sedangkan mekasime kontras dari backscattered elektron dijelaskan dengan gambar dibawah ini yang secara prinsip atom – atom dengan densitas atau berat molekul lebih besar akan memantulkan lebih banyak elektron sehingga tampak lebih cerah dari atom berdensitas rendah. Maka teknik ini sangat berguna untuk membedakan jenis atom.
Namun untuk mengenali jenis atom dipermukaan yang mengandung multi atom para peneliti lebih banyak mengunakan teknik EDS (Energy Dispersive Spectroscopy). Sebagian besar alat SEM dilengkapi dengan kemampuan ini, namun tidak semua SEM punya fitur ini. EDS dihasilkan dari Sinar X karakteristik, yaitu dengan menembakkan sinar X pada posisi yang ingin kita ketahui komposisinya. Maka setelah ditembakkan pada posisi yang diinginkan maka akan muncul puncak – puncak tertentu yang mewakili suatu unsur yang terkandung. Dengan EDS kita juga bisa membuat elemental mapping (pemetaan elemen) dengan memberikan warna berbeda – beda dari masing – masing elemen di permukaan bahan. EDS bisa digunakan untuk menganalisa secara kunatitatif dari persentase masing – masing elemen. Contoh dari aplikasi EDS digambarkan pada diagram dibawah ini.
(sumber: umich.edu)
Aplikasi dari teknik SEM – EDS dirangkum sebagai berikut:
1. Topografi: Menganalisa permukaan dan teksture (kekerasan, reflektivitas dsb)2. Morfologi: Menganalisa bentuk dan ukuran dari benda sampel3. Komposisi: Menganalisa komposisi dari permukaan benda secara kuantitatif dan kualitatif.
Sedangkan kelemahan dari teknik SEM antara lain:
1. Memerlukan kondisi vakum
2. Hanya menganalisa permukaan3. Resolusi lebih rendah dari TEM4. Sampel harus bahan yang konduktif, jika tidak konduktor maka perlu dilapis logam seperti emas.
REFERENSI LANJUThttp://www.jeolusa.com/sem/docs/sem_guide/tbcontd.html diakses 28 oktober 2014 pukul 17:31http://mse.iastate.edu/microscopy/college.html diakses 28 oktober 2014 pukul 17:31http://www.microscopy.ethz.ch/sem.htm diakses 28 oktober 2014 pukul 17:31
2. Transmission Electron Microscopy (TEM)
TEM (Transmission Elektron Mikroskopi) merupakan salah satu mikroskop yang penting. Dalam bidang material, mikroskop ini digunakan untuk mengetahui struktur material terutama bentuk kristal penyusun material yang tidak dapat dilihat dengan mikroskop biasa.
TEM pertama kali dirancang oleh Max Knoll dan Ernst Ruska, prinsip awalnya dilakukan dengan membatasi pencitraan gelombang cahaya terhadap objek yang akan dilihat. TEM sederhana tersebut hanya mampu melihat spesimen material hingga 16 kali pembesaran. Perkembangan berikutnya kohler dan rohr menggunakan sinar ultraviolet, namun hal ini tidak dapat menghasilkan apa-apa karena terkendala oleh panjang gelombang. Berikutnya max knoll di Universitas Teknologi Berlin Adolf Matthias, ditunjuk sebagai ketua tim peneliti untuk mengembangkan desain CRO yaitu desain defleksi ’sinar katoda’. Kemudian pada tahun 1931 kelompok ini berhasil menggerakkan gambar yang diperbesar dari grid mesh yang diletakkan di atas aperture anoda. Alat ini menggunakan dua lensa magnetik untuk mencapai perbesaran yang lebih tinggi, dan alat inilah yang disebut mikroskop elektron pertama (TEM)
Perbedaan mendasar dari TEM dan SEM adalah pada cara bagaimana elektron yang ditembakkan oleh pistol elektron mengenai sampel. Pada TEM, sampel yang disiapkan sangat tipis sehingga elektron dapat menembusnya kemudian hasil dari tembusan elektron tersebut yang diolah menjadi gambar. Sedangkan pada SEM sampel tidak ditembus oleh elektron sehingga hanya pendaran hasil dari tumbukan elektron dengan sampel yang ditangkap oleh detektor dan diolah. Skema perbandingan kedua alat ini disajikan oleh gambar dibawah ini.
Prinsip kerja dari TEM secara singkat adalah sinar elektron mengiluminasi spesimen dan menghasilkan sebuah gambar diatas layar pospor. Gambar dilihat sebagai sebuah proyeksi dari spesimen. Skema dari TEM lebih detil dapat dilihat pada gambar berikut ini.
(sumber: hk-phy.org)
Sedangkan sinyal utama yang dapat dihasilkan oleh TEM dideskripsikan pada gambar berikut.
Sinyal utama yang dapat ditangkap atau dihasilkan dari TEM cukup banyak antara lain:
1. Diffraction ContrastDipakai untuk mengkarakterisasi kristal biasa digunakan untuk menganalisa defek, endapan,
ukuran butiran dan distribusinya.2. Phase ContrastDipakai untuk menganalisa kristalin material (defek, endapan, struktur interfasa, pertumbuhan kristal)3. Mass/Thickness ContrastDipakai untuk karakterisasi bahan amorf berpori, polimer, material lunak (biologis)4. Electron Diffraction5. Characteristic X-ray (EDS)6. Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS + EFTEM)7. Scanning Transmission Electron Microscopy (STEM)
Sehingga aplikasi utama TEM adalah sebagai berikut: analisis mikrostruktur, identifikasi defek, analisis interfasa, struktur kristal, tatanan atom pada kristal, serta analisa elemental skala nanometer.
Sementara itu kelebihan dari analisa menggunakan TEM adalah:
1. Resolusi Superior 0.1~0.2 nm, lebih besar dari SEM (1~3 nm)2. Mampu mendapatkan informasi komposisi dan kristalografi dari bahan uji dengan resolusi tinggi3. Memungkinkan untuk mendapatkan berbagai signal dari satu lokasi yang sama.
Sedangkan kelemahannya adalah:
1. Hanya meneliti area yang sangat kecil dari sampel (apakah ini representatif?)2. Perlakuan awal dari sampel cukup rumit sampai bisa mendapatkan gambar yang baik.3. Elektron dapat merusak atau meninggalkan jejak pada sampel yang diuji.
REFERENSI LANJUTANhttp://www.matter.org.uk/tem/ diakses 28 oktober 2014 pukul 17:31http://www.microscopy.ethz.ch/TEM.htm diakses 28 oktober 2014 pukul 17:31
3. XRD (X-RAY DIFFRACTION)
Spektroskopi difraksi sinar-X (X-ray difraction/XRD) merupakan salah satu metoda
karakterisasi material yang paling tua dan paling sering digunakan hingga sekarang. Teknik
ini digunakan untuk mengidentifikasi fasa kristalin dalam material dengan cara menentukan
parameter struktur kisi serta untuk mendapatkan ukuran partikel.
A. PRINSIP XRD
Prinsip dari alat XRD (X-ray powder diffraction) adalah sinar X yang dihasilkan dari
suatu logam tertentu memiliki panjang gelombang tertentu, sehingga dengan memfariasi
besar sudut pantulan sehingga terjadi pantulan elastis yang dapat dideteksi. Maka menurut
Hukum Bragg jarak antar bidang atom dapat dihitung dengan data difraksi yang dihasilkan
pada besar sudut – sudut tertentu. Prinsip ini di gambarkan dengan diagram dibawah ini.
Difraksi sinar-X terjadi pada hamburan elastis foton-foton sinar-X oleh atom dalam
sebuah kisi periodik. Hamburan monokromatis sinar-X dalam fasa tersebut memberikan
interferensi yang konstruktif. Dasar dari penggunaan difraksi sinar-X untuk mempelajari kisi
kristal adalah berdasarkan persamaan Bragg :
n.λ = 2.d.sin θ ; n = 1,2,...
dengan λ adalah panjang gelombang sinar-X yang digunakan, d adalah jarak antara dua
bidang kisi, θ adalah sudut antara sinar datang dengan bidang normal, dan n adalah bilangan
bulat yang disebut sebagai orde pembiasan.
Berdasarkan persamaan Bragg, jika seberkas sinar-X di jatuhkan pada sampel kristal,
maka bidang kristal itu akan membiaskan sinar-X yang memiliki panjang gelombang sama
dengan jarak antar kisi dalam kristal tersebut. Sinar yang dibiaskan akan ditangkap oleh
detektor kemudian diterjemahkan sebagai sebuah puncak difraksi. Makin banyak bidang
kristal yang terdapat dalam sampel, makin kuat intensitas pembiasan yang dihasilkannya.
Tiap puncak yang muncul pada pola XRD mewakili satu bidang kristal yang memiliki
orientasi tertentu dalam sumbu tiga dimensi. Puncak-puncak yang didapatkan dari data
pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi sinar-X untuk hampir semua
jenis material. Standar ini disebut JCPDS.
B. SUMBER SINAR
Tabung Sinar-X
Pada umumnya, sinar diciptakan dengan percepatan arus listrik, atau setara dengan
transisi kuantum partikel dari satu energi state ke lainnya. Contoh : radio ( electron berosilasi
di antenna) , lampu merkuri (transisi antara atom). Ketika sebuah elektron menabrak anoda :
a. Menabrak atom dengan kecepatan perlahan, dan menciptakan radiasi bremstrahlung atau
panjang gelombang kontinyu
b. Secara langsung menabrak atom dan menyebabkan terjadinya transisi menghasilkan
panjang gelombang garis
Sinar X merupakan radiasi elektromagnetik yang memiliki energi tinggi sekitar 200
eV sampai 1 MeV. Sinar X dihasilkan oleh interaksi antara berkas elektron eksternal dengan
elektron pada kulit atom. Spektrum Sinar X memilki panjang gelombang 10-5 – 10 nm,
berfrekuensi 1017 -1020 Hz dan memiliki energi 103 -106 eV. Panjang gelombang sinar X
memiliki orde yang sama dengan jarak antar atom sehingga dapat digunakan sebagai sumber
difraksi kristal.
Komponen XRD ada 2 macam yaitu:
1. Slit dan film
2. Monokromator
Sinar-X dihasilkan di suatu tabung sinar katode dengan pemanasan kawat pijar untuk
menghasilkan elektron-elektron, kemudian electron-elektron tersebut dipercepat terhadap
suatu target dengan memberikan suatu voltase, dan menembak target dengan elektron. Ketika
elektron-elektron mempunyai energi yang cukup untuk mengeluarkan elektron-elektron
dalam target, karakteristik spektrum sinar-X dihasilkan. Spektrum ini terdiri atas beberapa
komponen-komponen, yang paling umum adalah Kα dan Kβ. Ka berisi, pada sebagian, dari
Kα1 dan Kα2. Kα1 mempunyai panjang gelombang sedikit lebih pendek dan dua kali lebih
intensitas dari Kα2. Panjang gelombang yang spesifik merupakan karakteristik dari bahan
target (Cu, Fe, Mo, Cr). Disaring, oleh kertas perak atau kristal monochrometers, yang akan
menghasilkan sinar-X monokromatik yang diperlukan untuk difraksi. Tembaga adalah bahan
sasaran yang paling umum untuk diffraction kristal tunggal, dengan radiasi Cu Kα =05418Å.
Sinar-X ini bersifat collimated dan mengarahkan ke sampel. Saat sampel dan detektor
diputar, intensitas Sinar X pantul itu direkam. Ketika geometri dari peristiwa sinar-X tersebut
memenuhi persamaan Bragg, interferens konstruktif terjadi dan suatu puncak di dalam
intensitas terjadi. Detektor akan merekam dan memproses isyarat penyinaran ini dan
mengkonversi isyarat itu menjadi suatu arus yang akan dikeluarkan pada printer atau layar
komputer.
C. INSTRUMENTASI ALAT
Petunjuk Penggunaan, Penyiapan Sample
Ambil sepersepuluh berat sample (murni lebih baik) Gerus sample dalam bentuk bubuk. Ukuran kurang dari ~10 μm atau 200-mesh lebih
disukai Letakkan dalam sample holder Harus diperhatikan agar mendapatkan permukaan yang datar dan mendapatkan
distribusi acak dari orientasi-orientasi kisi Untuk analisa dari tanah liat yang memerlukan single orientasi, teknik-teknik yang
khusus untuk persiapan tanah liat telah diberikan oleh USGS
D. DATA YANG DIPROLEH
Hasil yang diperoleh dapi pengukuran dengan menggunakan instrument X-Ray
Diffraction (XRD) adalah grafik dikfraktogram. Difraktogram adalah output yang merupakan
grafik antara 2θ (diffraction angle) pada sumbu X versus intensitas pada sumbu Y.
Intensitas sinar-X yang didifraksikan secara terus-menerus direkam sebagai contoh
dan detektor berputar melalui sudut mereka masing-masing. Sebuah puncak dalam intensitas
terjadi ketika mineral berisi kisi-kisi dengan d-spacings sesuai dengan difraksi sinar-X pada
nilai θ Meski masing-masing puncak terdiri dari dua pemantulan yang terpisah (Kα1 dan
Kα2), pada nilai-nilai kecil dari 2θ lokasi-lokasi puncak tumpang-tindih dengan Kα2 muncul
sebagai suatu gundukan pada sisi Kα1. Pemisahan lebih besar terjadi pada nilai-nilai θ yang
lebih tinggi .
2θ merupakan sudut antara sinar dating dengan sinar pantul. Sedangkan intensitas
merupakan jumlah banyaknya X-Ray yang didifraksikan oleh kisi-kisi kristal yang mungkin.
Kisi kristal ini juga tergantung dari kristal itu sendiri.
Kisi-kisi ini dibentuk oleh atom-atom penyusun kristal. Jika tidak ada atom-atom
yang menyusun suatu bidang kisi pada kristal, maka sinar X yang dating tidak dapat
didifraksikan atau dengan kata lain tidak ada kisi tersebut.
E. INFORMASI YANG DIDAPAT
Berdasarkan gambar bagan tersebut dapat dijelaskan bahwa pembangkit sinar-x
menghasilkan radiasi ektromagnetik setelah dikendalikan oleh celah penyimpang (S1)
selanjutnya jatuh pada cuplikan/sampel. Sinar yang dihamburkan oleh cuplikan dipusatkan
pada celah penerima (S2) dan jatuh pada detektor yang sekaligus mengubahnya menjadi
bentuk cahaya tampak (foton).
Informasi yang dapat diperoleh dari analisa dengan menggunakan XRD tersebut yaitu
sebagai berikut:
1. Pembangkit sinar-x menghasilkan radiasi elektromagnetik setelah dikendalikan oleh celah
penyimpang (S)
2. Posisi puncak difraksi memberikan gambaran tentang parameter kisi (a), jarak antar bidang
(dhkl), struktur kristal dan orientasi dari sel satuan (dhkl) struktur kristal dan orientasi dari sel
satuan.
3. Intensitas relatif puncak difraksi memberikan gambaran tentang posisi atom dalam sel
satuan.
4. Bentuk puncak difraksi memberikan gambaran tentang ukuran kristal dan
ketidaksempurnaan kisi. (dhkl) dikelompokkan dalam beberapa grup, dengan intensitas relatif
paling tinggi pertama disebut d1, kedua d2, ketiga d3 dan seterusnya.
Dari pola difraksi padatan kristal yang teranalisa oleh XRD tersebut, kita juga akan
mendapatkan beberapa informasi lain diantaranya :
1. Panjang gelombang sinar X yang digunakan (λ)
2. Orde pembiasan / kekuatan intensitas (n)
3. Sudut antara sinar datang dengan bidang normal (θ)
Dengan persamaan Bragg, kita dapat memperoleh nilai jarak antara dua bidang kisi (d) berdasarkan sudut sinar datng bidang.
KEGUNAAN DAN APLIKASI
Kegunaam dan aplikasi XRD: Membedakan antara material yang bersifat kristal dengan amorf Membedakan antara material yang bersifat kristal dengan amorf. Mengukur macam-macam keacakan dan penyimpangan kristal. Karakterisasi material kristal Identifikasi mineral-mineral yang berbutir halus seperti tanah liat Penentuan dimensi-dimensi sel satuan
Dengan teknik-teknik yang khusus, XRD dapat digunakan untuk:
1. Menentukan struktur kristal dengan menggunakan Rietveld refinement
2. Analisis kuantitatif dari mineral
3. Karakteristik sampel film
KEUNTUNGAN DAN KERUGIAN DARI XRD KRISTAL DAN BUBUK
1. Kristal Tunggal
- Keuntungan : Kita dapat mempelajari struktur kristal tersebut.
- Kerugian : Sangat sulit mendapatkan senyawa dalam bentuk kristalnya
2. Bubuk
- Kerugian : Sulit untuk menentukan strukturnya
- Keuntungan : Lebih mudah memperoleh senyawa dalam bentuk bubuk
Keuntungan utama penggunaan sinar-X dalam karakterisasi material adalah
kemampuan penetrasinya, sebab sinar-X memiliki energi sangat tinggi akibat panjang
gelombangnya yang pendek. Sinar-X adalah gelombang elektromagnetik dengan panjang
gelombang 0,5-2,0 mikron. Sinar ini dihasilkan dari penembakan logam dengan elektron
berenergi tinggi. Elektron itu mengalami perlambatan saat masuk ke dalam logam dan
menyebabkan elektron pada kulit atom logam tersebut terpental membentuk kekosongan.
Elektron dengan energi yang lebih tinggi masuk ke tempat kosong dengan memancarkan
kelebihan energinya sebagai foton sinar-X.
X-ray difraksi Instrumen yang tepat dirancang untuk aplikasi dalam microstructure
pengukuran, pengujian dan penelitian mendalam dalam penyelidikan.